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大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法

963   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:56:05
本发明涉及大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法,该方法包括光刻硅片、配置腐蚀液、电化学腐蚀前的准备、电化学腐蚀的实施和后处理步骤,其中:在光刻硅片时是利用光刻机和图形掩模将硅片进行光刻;配置负极腐蚀液时,是在5~8M的KOH溶液中加入质量浓度为99.7%的分析纯异丙醇使之体积比为1∶(1.2~1.45),或将质量浓度40%的氢氟酸、质量浓度99.5%的二甲基甲酰胺和水混合使之体积比为(2.5~3.5)∶(14~18)∶1;组成正极的腐蚀液,是将质量浓度96%的分析纯NH4F、质量浓度40%的HF和水混合,使之体积比为3∶6∶10。本发明具有工艺简单,容易实施,可获得大间距硅基三维结构等优点。
声明:
“大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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