本发明涉及
电化学分析测试技术领域,具体涉及一种通过溶胶法印迹天冬氨酸光学异构体(如L-Asp)、铜离子和N-苄氧羰基(CBZ)-L-天冬氨酸(L-Asp)三元络合物的方法,将该溶胶修饰于电极,通过在电极上构筑具有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp空间结构,由于N-CBZ-L-Asp上苯环与D-Asp上羧基的空间位阻,在水溶液中L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的稳定性大于D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物,印迹电极在溶液中对L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元络合物的吸附量远大于对D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp,进而导致印迹电极中铜离子的浓度不同,以铜离子为探针,通过铜离子的还原电流的测量,实现对天冬氨酸光学异构体的选择性识别。
声明:
“识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)