本发明公开了基于RGD‑Ag(I)配位聚合物的
电化学传感器制备及其应用,具体步骤如下:(1)首先合成RGD‑Ag(I)配位聚合物;(2)将制备好的RGD‑Ag(I)配位聚合物,滴到
石墨烯基表面,即完成修饰。所制备的传感器在PBS(100mM,pH=7.0,含5mM H
2O
2)完成RGD肽的检测,所用电化学方法为循环伏安法,扫速为50mV/s,电位为‑1.0~0V。随后改变RGD肽浓度,制作一系列的传感器,通过检测其电化学响应强度,绘制标准曲线,用于检测待测物中RGD肽的浓度,优点是特异性强、灵敏度高、检测速度快、结果准确可靠且成本低。
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“基于RGD-Ag(I)配位聚合物的电化学传感器制备及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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