本发明公开了一种分析铸造
多晶硅微观结构的方法,其包括以下步骤,步骤一、将铸造多晶硅通过化学抛光和Secco刻蚀处理;步骤二、在步骤一后用大型金相显微镜进行观测和拍照;步骤三、在步骤二后进行分析。本发明的有益效果为:通过化学抛光和Secco刻蚀的方法,研究了商业多晶硅和自制多晶硅块的微观结构,经抛光后,清楚地观察到晶界、亚晶粒、半晶界和小三角等缺陷;经Secco刻蚀后,位错缺陷凸显出来,主要有密集位错、集中位错、位错排等;经抛光和Secco刻蚀后,观察和发现了各种形式的位错缺陷,通过对多晶硅微观结构的分析,进一步了解多晶硅晶体缺陷的形成机理,也可以为后续多晶硅铸锭工艺的制定和优化打下一定基础。
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