本发明公开了一种分析
半导体材料的成份的方法,包括用能量源的能量辐射半导体材料,能量从该半导体材料衍射,检测衍射能量的一部分或多部分,并分析每个检测到的部分以获得一个表示每部分强度的参数,并利用对衍射能量部分的位置和/或强度的了解来确定半导体的化学成份。检测到的每部分衍射能量可以是从材料衍射的准禁止反射,可以是从材料衍射的(002)反射或(006)反射。对每部分衍射能量的检测可以在一个或多个检测角(9)处进行,或者在衍射能量源的所有反射/透射的角处进行,或在一个或多个角度的范围内进行。能量源可包括x射线管产生的x射线,可以用一个或多个检测器(4)检测衍射能量的每部分。
声明:
“分析材料成份的方法和装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)