本发明公开了一种基于化学气相沉积二硫化钨的光电探测器及其制备方法,属于二维
半导体材料的生长及其光电探测器的制备技术领域,解决了现有技术制备二硫化钨实验条件可重复性不好,薄膜质量欠佳等技术问题。所述的二硫化钨由化学气相沉积法制备得到,利用熔融盐辅助的方法可以有效降低前驱体三氧化钨的熔点,从而提高材料制备的可控性。该实验方法工艺简单,环境友好,适合大规模生产。所述光电探测器由干法转移技术制备得到,利用干法转移技术将金电极直接转移到生长有二硫化钨的衬底上,保护了二硫化钨的晶体结构。此外,生长的二硫化钨晶体结晶质量高,利用其制备的光电探测器具有高响应度、高外量子效率、高探测度的特点,表现出优异的光电探测性能。
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