本发明公开了一种化学机械抛光后
芯片表面形貌评测方法及系统,属于集成电路制造技术领域。该化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法,包括:获取芯片在上一工艺阶段的表面形貌参数和研磨液的选择比;获取当前工艺阶段的工艺参数和研磨液的选择比;将芯片的当前表面版图划分为多个连续窗格,分别提取每个窗格的版图特征参数;判断研磨液的选择比是否发生变化,如果是,则根据上一工艺阶段的表面形貌参数、工艺参数、版图特征参数和当前工艺阶段研磨液的选择比,计算芯片在当前工艺阶段的表面形貌参数;根据当前工艺阶段的表面形貌参数对芯片的表面形貌进行评测。该化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法,能够精确地对芯片表面形貌进行评测。
声明:
“化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法及系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)