本发明公开了一种40Gb/s波导型PIN光探测器 管芯台面的化学腐蚀方法。它涉及一种光通信用40Gb/s光探 测器关键部分——双联体管芯台面的制作。该光探测器的管芯 台面,是由InP/InGaAs/InGaAsP(或InGaAs/InAlAs/InP)多层异 质材料构成的、宽×长为(6-8)×(24-26)微米、高为(2.7-3.1) 微米的斜台面结构。该台面结构,由采用特定配比的HBr- K2Cr2O7- H2O混合腐蚀液,通过两次(或 多次)化学腐蚀而成,并经台阶仪精确测试,达到规定要求。该 特定配比的混合腐蚀液,具有配置简单、对大多数III-V半导 体化合物材料均能适用、腐蚀速率快、使用方便等诸多特点。
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