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40Gb/s波导型PIN光探测器管芯台面的化学腐蚀方法

1038   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:47:31
本发明公开了一种40Gb/s波导型PIN光探测器 管芯台面的化学腐蚀方法。它涉及一种光通信用40Gb/s光探 测器关键部分——双联体管芯台面的制作。该光探测器的管芯 台面,是由InP/InGaAs/InGaAsP(或InGaAs/InAlAs/InP)多层异 质材料构成的、宽×长为(6-8)×(24-26)微米、高为(2.7-3.1) 微米的斜台面结构。该台面结构,由采用特定配比的HBr- K2Cr2O7- H2O混合腐蚀液,通过两次(或 多次)化学腐蚀而成,并经台阶仪精确测试,达到规定要求。该 特定配比的混合腐蚀液,具有配置简单、对大多数III-V半导 体化合物材料均能适用、腐蚀速率快、使用方便等诸多特点。
声明:
“40Gb/s波导型PIN光探测器管芯台面的化学腐蚀方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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