本发明提供汞离子的光
电化学测定。水溶性ZnX(X代表硫、硒)量子点可以修饰到ITO电极表面,在一定缓冲条件和一定浓度电子供体的存在下,光照后可以产生光电流但电流值较小,然后当加入Hg2+之后,光电流强度升高,从而使Hg2+得到测定。与最常用的通过分光光度法、原子吸收或原子发射光谱法测定汞离子相比,本发明使用的仪器设备比较简单和廉价,并且能够提高汞离子测定的选择性,常见的共存离子Ag+、Cu2+、Pb2+等在较高浓度时也不干扰测定。据我们所知,基于量子点
纳米材料的光电化学方法还没有应用于汞离子的测定中。本发明能够对Hg2+实现高灵敏和高选择性测定,线性范围为1.0×10-8mol/L到1.0×10-5mol/L,检测限为4.6×10-9mol/L。
声明:
“汞离子的光电化学测定” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)