本发明涉及一种热丝化学气相沉积过程中光发射谱的测试方法及其装置,属于光谱研究技术领域。采用射频激发,在热丝化学气相沉积制备硅薄膜的气相中产生发光基元,通过双狭缝、光纤、光谱仪来测量和分析射频激发热丝化学气相沉积的光发射谱,认识气相过程特征,指导薄膜制备。本发明装置发射的光谱,能够解释气压变化和气体流量等沉积参数的变化与微晶硅薄膜沉积速率和微结构的关系,是研究HWCVD气相过程的有效方法之一。本方法和装置操作简单,易于实现,数据重复可靠,可应用于太阳电池、微电子等领域中涉及到热丝化学气相沉积的薄膜制备技术中。
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