一种测量晶体硅少子寿命的化学钝化方法,将经过去损伤层处理后的硅片在常温下用去离子水稀释39%或49%的高浓度氟化氢溶液漂洗,去除硅片表面的自然氧化物,将硅片放入透明的,耐氟化氢HF,对电信号无干扰的塑料袋中,然后在晶体硅前后表面滴几滴浓度39%或49%的氟化氢HF溶液,再在塑料袋外面将硅片上的氟化氢(HF)溶液均匀抹平,使表面的氟化氢溶液的厚度低于1MM;去除在硅片上残留的气泡。用塑料封口机对塑料袋密封后,将塑料袋放入测试设备的样品台中进行测试。本发明仅可以达到对硅片表面均匀的钝化效果,使表面复合速度降低到100CM/S以下。而且成本低,易操作,测量不费时,尤其适用于太阳电池生产和研究单位对硅片原材料的检测和分析。
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