本发明涉及用于检测流体中的离子的微传感器(100),该微传感器(100)包括:场效应晶体管(5),该场效应晶体管(5)具有源极(51)、漏极(52)、在源极(51)与漏极(52)之间的有源区(54)以及被设置在有源区(54)上方的栅极(53);有源层(4),在该有源层(4)中形成有源区(54);介电层(3),该介电层(3)被设置在有源层(4)下方;支撑基板(1),该支撑基板(1)被定位在介电层(3)下方并且包括至少一个掩埋腔(2),所述至少一个掩埋腔(2)位于晶体管(5)的栅极(53)下方以便容纳流体。
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