本发明公开了一种基于双猝灭效应的双波长比率电致化学发光法检测As(III),通过Au‑S键作用将As(III)适配体(Ars‑3)捕获到Au‑g‑C
3N
4修饰电极表面,再通过静电作用使PDDA与Ars‑3结合生成PDDA/Ars‑3/Au‑g‑C
3N
4电极,该电极在含Ru(bpy)
32+的Na
2S
2O
8溶液中发射Au‑g‑C
3N
4的ECL信号;当存在As(III)时,As(III)与Ars‑3特异性结合使得Ars‑3的构象发生变化,导致PDDA/Ars‑3/Au‑g‑C
3N
4电极表面释放出部分PDDA,形成PDDA/As(III)/Ars‑3/Au‑g‑C
3N
4电极,将该电极构成的三电极系统置于含Ru(bpy)
32+的Na
2S
2O
8溶液中,根据Ru(bpy)
32+与Au‑g‑C
3N
4的ECL信号比值与As(III)浓度的关系实现对As(III)的超灵敏和选择性检测。
声明:
“基于双猝灭效应的双波长比率电致化学发光法检测As(III)” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)