一种用于
多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆(控片)的制作方法,在硅衬底上沉积一薄层氧化硅薄膜后,再在氧化硅层上沉积一层氮化硅阻挡层,然后再在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜,并在循环使用中保留该氮化硅层。本发明增加了氮化硅阻挡层,可以有效解决在控片的循环使用过程中对硅衬底造成损伤产生COP缺陷而影响测机结果的问题,从而减少检测过程的误差,获得能够真实表征机器性能的检测数据。
声明:
“用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)