本发明公开了一种光
电化学适配传感器及其制备方法和检测DBP方法,所述光电化学适配传感器包括导电基底、固定在导电基底上的含有
钙钛矿相的CTAB@CH3NH3PbI3层、覆盖在CTAB@CH3NH3PbI3层上的适配体ATP层。其中CTAB通过形成保护层并钝化CH3NH3PbI3的X‑和A‑位空位来增强CH3NH3PbI3的光电响应和耐湿性。CTAB还通过阳离子基团和核酸适配体(APT)的磷酸基团之间的静电相互作用来帮助固定核酸适配体。在对DBP进行特异性识别后,DBP适配体由于对引入的DBP具有较强的亲和力而从电极中释放出来,导致光电信号增强。本发明的CH3NH3PbI3具有良好的光电化学特性和适配体的特异性识别能力,制备的PEC传感器的线性范围为0.1pmol·L‑1‑10nmol·L‑1,检出限和定量限分别低至2.5×10‑14M和8.2×10‑14M(S/N=3)。
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