一种检测源极
多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法,采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测,KT电子扫描显微镜持续发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描,源极多晶硅表面的价电子被激发,形成二次电子,然后KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像,异常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。本发明能够简单有效地检测到源极多晶硅的表面异常,降低了晶片受损的可能性。
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