一种制备SiC柔性场发射阴极材料的方法,其包括以下具体步骤:(1)有机前驱体聚硅氮烷于260℃保温30min热交联固化,然后球磨粉碎:(2)选择碳布为柔性衬底,在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸渍并超声处理10s,然后自然晾干备用;(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的碳布衬底分别置于
石墨坩埚底部和顶端:(4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中,在氮氩混合气氛保护下加热至1500~1550℃进行高温热解;(5)随炉冷却至室温,实现以碳布为衬底的柔性SiC准定向纳米阵列的制备:(6)将SiC准定向纳米阵列结构用作场发射阴极进行场发射性能检测和分析。所制备的SiC场发射阴极材料具有良好的柔性和优异的场发射性能,有望应用在柔性显示和小型x射线管等领域。
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