本发明涉及一种DRAM存储器的性能检测方法和检测电路。DRAM存储器的性能检测方法包括如下步骤:将存储单元的字线的一端和/或位线的一端分别与测量焊盘连接,所述存储单元位于DRAM存储器的边缘;对与所述测量焊盘连接的字线的一端和/或位线的一端施加测量电压或测量电流;通过所述测量焊盘输出测量结果。通过将位于DRAM存储器的边缘的存储单元的字线的一端和/或位线的一端分别与测量焊盘连接,施加测量电压或测量电流,输出所述测量结果,能够在不影响存储单元的情况下对存储器进行性能检测,不影响产品良率和产品的成本。
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