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低维半导体材料的电子自旋结构

874   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-02 00:40:05
本发明公开了一种低维半导体材料的电子自旋结构,本发明p型CuAlO2。为了进一步探求和澄清磁性半导体材料的磁性起源问题,TM元素Co和Ni掺杂CuAl02的磁学性质。选择具有铜铁矿结构的CuAl02材料进行研究,主要因为它是天然存在的为数不多的p型半导体材料之一,通过掺杂可以实现其p型或n型的导电性,从而使这类材料更接近实际应用。
声明:
“低维半导体材料的电子自旋结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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