一种增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管,该硅雪崩光电二极管以硅雪崩光电二极管作为基底,
钙钛矿材料均匀分布在所述硅雪崩光电二极管表面。利用钙钛矿材料的高量子产率,将钙钛矿材料均匀分布在硅雪崩二极管表面,通过设计,使钙钛矿材料与硅雪崩光电二极管之间的光耦合较好,可以实现有效提高硅雪崩光电二极管的紫外波段响应度。且本发明所采用的制备方法简单,易于实施,成本较低,且基本不影响探测器在可见光波段响应度。
声明:
“增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)