本发明涉及
半导体材料技术领域,公开涉及一种纯无机铅卤
钙钛矿的X射线探测器及其制备方法和应用,制备方法包括将涂有SnO2中间层的导电衬底置于双温区管式炉的低温区,将前驱体粉末置于双温区管式炉高温区作为蒸发源;石英管抽真空后,将所述低温区和高温区分别升温至100~300℃和550~660℃,通入载气,保温20~40min,在SnO2中间层上形成钙钛矿膜,得到所述纯无机铅卤钙钛矿吸收层。该吸收层中钙钛矿层形貌良好,平整性高,稳定性好,制备的器件X射线灵敏度高,同时具有较好的稳定性和很低的暗电流,适用于X射线探测及成像应用。
声明:
“纯无机铅卤钙钛矿吸收层及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)