本发明涉及一种基于掺钴的铁钴酸镧纳米薄膜的红外光电探测器及其制法,属于无机半导体光电探测器技术领域。由叉指电极及涂覆在叉指电极上的
钙钛矿纳米薄膜组成,所述的钙钛矿纳米薄膜以LaFeO
3钙钛矿纳米晶为基质材料,并通过钴离子掺杂LaFeO
3钙钛矿纳米晶的Fe位得到的。该制备方法所制备的钙钛矿光探测器具有结构简单、制备工艺简单,生产成本低,无需昂贵的仪器设备等优点。本发明通过对铁酸镧进行钴离子掺杂所得的薄膜敏感材料大大提高LaFeO
3在红外线区域的光吸收强度,增加钙钛矿的电学性能,降低表面缺陷和改善载流子迁移率。
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“基于掺钴的铁钴酸镧纳米薄膜的红外光电探测器及其制法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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