本发明属于光电探测器技术领域,尤其涉及一种量子点光电探测器,包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层,以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层,所述P型半导体层包括复合金属氧化物,所述复合金属氧化物的分子式为A
n‑1B
nO
3n‑3,其中,A选自金属元素中的任意一种,B选自过渡金属元素中的任意一种,n≥3;所述N型半导体层包括
钙钛矿材料。本发明光电探测器包括钙钛矿材料、量子点和复合金属氧化物的P/N结构量子点光电探测器,光响应范围广,可检测200~800nm波长的光信号,灵敏度高,且无需外加电场驱动即可实现对光信号的检测,应用方便灵活。
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