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Sn掺杂CsPbI3纳米带在光电探测中的应用

761   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-02-28 01:00:08
本发明涉及一种全无机钙钛矿光电材料的应用。Sn掺杂CsPbI3纳米带为CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带,其应用方法:将表面覆盖SiO2的Si基底分别在丙酮、乙醇和蒸馏水中超声处理,然后在紫外臭氧清洗剂中处理;将CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带分散在己烷中形成透明溶液,并滴在已处理的Si基底上;采用光刻、热蒸镀和剥离,在纳米带上依次沉积Au叉指电极,组装成纳米带光电探测器;将光电探测器作为工作器件,将其置于四探针测试平台上,利用半导体测试系统测试其光探性能。CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带可有效地应用在光电探测中,具有高性能和稳定性。
声明:
“Sn掺杂CsPbI3纳米带在光电探测中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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