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本发明涉及一种基于介孔纳米碳球掺杂金纳米颗粒材料的探针及其制备方法，探针包括介孔碳纳米球、生长在介孔碳纳米球内部孔道壁上的金纳米颗粒、负载在介孔碳纳米球孔道中的有机荧光物以及通过化学键连接在介孔碳纳米球表面的靶向分子。与现有技术相比，本发明既可以实现诊断监测，又可以作为治疗探针，具有良好的靶向性和基于PTT、PDT实现的优异的治疗效果。最终，合成的探针成功的消融了肿瘤(MGC‑803细胞的荷瘤小鼠的肿瘤)，而且进行了体内和体外的荧光成像。另外，位于介孔碳纳米球内部的金颗粒，不仅仅很好的被保护起来，而且充分发挥了纳米酶的催化的作用。
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一种双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔，该微腔自上而下依次是第一铌酸锂圆盘、二氧化硅薄盘、第二铌酸锂圆盘、二氧化硅支柱和铌酸锂基底，及其制备方法，包括制备五层薄膜、加工柱状结构和化学腐蚀步骤。本发明双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔具有极高的表面光洁度、小的模式体积与高的品质因子(实测105，理论值可达107)。
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一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，衬底包括PMOS晶体管区域；在衬底的PMOS晶体管区域上形成栅极、硬掩模；在栅极、以及硬掩模的表面形成第一侧墙材料层，栅极表面的第一侧墙材料层厚度大于硬掩模表面的第一侧墙材料层；去除硬掩模表面的第一侧墙材料层、以及栅极侧壁上部分厚度的第一侧墙材料层，残留的第一侧墙材料层构成第一侧墙；进行湿式化学清洗；在硬掩模和第一侧墙的周围形成第二侧墙；在PMOS晶体管区域中对应源漏极的位置形成凹槽、以及位于凹槽内的锗硅层；至少去除部分厚度的硬掩模。本发明的技术方案解决了利用现有方法形成的半导体器件的电性能合格测试的结果不满足要求的问题。
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本发明提供一种低反射率透明导电线路的制备方法，包括步骤：1）于透明基板上形成金属线路；2）对所述金属线路表面进行黑化处理，以于所述金属线路表面形成用于消除反光的导电材料层。本发明采取了表面层电镀的方法，通过化学反应使得本身具有金属光泽的微米级别的金属线降低金属光泽，从而降低了整体反射率，改善了产品的外观。同时，电信号测量表明黑化后，接触电阻和导通电阻均无明显变化。此外，通过配方的优化，可以使得该黑化层具有一定的硬度，可以在一定程度上保护下层金属。
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本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺 制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次 沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗 干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100) 硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出 SiO2，在 SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉 图形下SiO2。(4)用刻蚀液对(100) 硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉 积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。 (7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现 了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈 值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。
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本发明公开了一种本发明专利公开了一种基于数值模拟的UV‑PAA耦合反应器设计优化方法。本发明通过CFD理论，对反应器内流体流态、紫外光分布与化学反应进行模拟，实现动态计算反应时各物理量随时间的变化情况。可以针对不同结构的反应器与运行工况快速、准确的得出模拟预测结果，对反应器性能进行评估并为UV‑PAA耦合反应器提供设计、优化的理论决策依据。本发明不仅可节省反应器设计成本、提高反应器效果，也能作为实际运行期间的实时监控与工况优化手段，是具有发展潜力的设计优化方法。
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本发明属于药物化学技术领域，具体为一种具有抗肿瘤活性的酰腙类化合物、制备方法及其应用。酰腙类化合物的结构如通式(Ⅰ)所示：其中：R、R’独立地选自卤素、氨基、氰基、烷氧基、3、4‑亚甲二氧基，硝基、苯基或取代苯基中任一种或几种，R、R’取代基为单取代、二取代或者三取代。本发明制备方法简单，化合物的生物活性测试结果显示该类化合物对组蛋白甲基转移酶SET7有很好的抑制作用，具有良好的抗肿瘤方面开发的应用前景。
本发明属于膜技术领域，具体为一种聚乙烯亚胺功能化无机粒子/溴化聚苯醚杂化超滤膜及其制备方法。本发明的杂化超滤膜，由无机粒子与溴化聚苯醚基体通过聚乙烯亚胺共价联接作用，形成交联网络结构。本发明制备得到的杂化超滤膜亲水性高，水通量较未改性的超滤膜大幅提高，同时仍保持对蛋白质较高的截留率；经良溶剂刻蚀后仍能保持膜结构的完整性，具有很好的抗化学稳定性；长期抗污染测试结果表明本发明制备的杂化超滤膜有优异的污染恢复性能。本发明方法操作过程简单，制备条件温和，生产成本较低，易于批量化、规模化生产，具有良好的工业化生产基础和广阔的应用前景。
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本发明涉及细胞膜荧光探针成像的技术领域，特别是涉及基于聚集诱导发光性能的一种用于细胞膜快速免洗成像的双亲性荧光探针,该双亲性荧光探针名称为Membrane QM Tracker12,其化学结构式如式Ⅰ所示。测试表明，本发明提供的荧光探针能在轻微震摇后实现细胞膜成像，并对具有复杂膜结构的神经元细胞实现三维可视化成像，而且由于双亲性荧光探针在水溶液或其他多种有机溶剂中均无荧光，仅在高粘度环境下即锚定细胞膜后发出明亮荧光，因此其在作为细胞膜探针具有较好的应用前景。
本发明属有机化学及药物合成领域，涉及式II结构的具有3-取代 苯基-4-甲基-7-羟基香豆素结构，同时6-位具有特定取代基的新化合 物，经脐静脉内皮细胞模型筛药实验，生物活性测定结果显示，所述 化合物具有与阳性对照物2-甲氧基雌二醇相当的新生血管抑制活性， 所述化合物可制备新生血管抑制药物。 其中，R1＝-OH，-OCH3，-NO2，-NH2，-NHR，或-NR2，R为1-6个碳 原子的烃基；R2＝-F，-Cl，-Br，或-OCH3。
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本发明公开了一种豆荚状碳包覆氧化锰核壳结构复合材料及其制备方法和应用。制备方法如下：首先以三嵌段共聚物PEO-PPO-PEO（P123）和PVP为表面活性剂，以高锰酸钾为锰源进行水热反应得到锰的前驱体纳米线；然后以多巴胺为碳源，在前驱体表面均匀包覆一层薄层聚多巴胺，高温碳化一段时间，制备得到具有豆荚状碳包覆氧化锰复合材料。碳层的包覆有利于提高氧化锰的电子导电率，氧化锰活性材料之间的大空隙可以有效缓冲在反复充放电过程中产生的体积膨胀，电化学测试结果表明其作为锂离子电池负极材料具有优秀的倍率及循环性能，有望在锂离子电池领域获得广泛的应用。
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本发明提供了一种具有较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法、以及利用该方法制备的MOS器件；本发明利用富硅二氧化硅其具有抵抗等离子体损伤的特点，将传统高密度等离子体化学气相沉积中的富含氧的二氧化硅保护层替换成富含硅的二氧化硅保护层，从而减小了在HDP制程沉积过程中所带来的等离子体损伤，通过最终的电学性能测试可以看出，利用富含硅的二氧化硅保护层可以起到更好的抵抗等离子体损伤的能力。
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本发明提供一种掺铁铝酸锂晶体的制备方法,包括:将氧化铝、碳酸锂和氧化铁作为原料混合后压块得到成型体,烧结所述成型体;加热所述烧结后的成型体得到熔体,将籽晶与所述熔体接触,用提拉法生长掺铁铝酸锂晶体。按照本发明提供的方法,将所述几种原料混合后压块得到成型体烧结后,再用提拉法可以制得大尺寸、透明完整的掺铁铝酸锂晶体。测试结果表明,按照本发明制备的掺铁铝酸锂晶体具有较好的热稳定性和化学稳定性。
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本发明首次尝试采用将染料与硅烷偶联剂结合再与正硅酸乙酯共缩聚的方法在常温、常压下制备二氧化硅荧光纳米球。本发明生产方法简单,价格低廉,反应速度快;本发明制备的二氧化硅荧光纳米球具有均一的形貌、可调的粒径和荧光强度。得到的二氧化硅荧光纳米球尺寸约在50nm-80nm之间。二氧化硅纳米材料在化学合成、生物医药、电子、光学等多领域的应用引起了广泛的关注。二氧化硅的无毒性、生物相容性以及荧光染料的易于引入,使其成为一种很好的生物荧光纳米颗粒,在生物医学成像和免疫测定中有广泛应用。
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本发明提供了一种核聚变堆用大吨级高Ta低活化马氏体钢，其化学成分具有高Ta含量。本发明通过选用优质的合金原料、采用砖制真空感应炉炉胆以控制Al、B等残余元素、采用真空感应冶炼和高真空(≤5μ)且电磁搅拌下在一定时间内分次加入Ta的方法控制Ta等成分的均匀性、在极低的真空条件(设定值为0Torr)下采用自耗重熔精炼工艺来控制其中气体和杂质元素的含量，最终获得核聚变堆用大吨级(4.5吨)超纯净高Ta低活化马氏体钢，自耗钢锭退火后加工成材取样测试其室温力学性能为：Rm≥1300MPa，Rp0.2≥950MPa，A≥14％，Z≥50％，Akv≥15J，实现了CLAM钢的工业化制造。
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本发明提供一种低轨卫星下行链路的功率分配方法，包括：低轨卫星初始化，建立马尔科夫决策过程；观测当前状态St；根据探索因子的概率随机选取动作或选取最优动作；根据动作at获得新状态St+1和当前状态St的即时奖励rt，将(st，at，rt，st+1)四元组存储到经验池中；当循环周期大于训练数量时，对当前网络进行训练；在当前时隙为目标网络更新频率的整数倍时，更新目标网络的参数；当前时隙增1；重复上述步骤直到当前时隙大于时隙计数器，当前时隙设为1且循环周期的计数增1；重复步骤直到循环周期大于训练网络周期数。本发明的分配方法采用深度强化学习算法来动态分配多波束低轨卫星的子载波功率，从而最大化低轨卫星的容量，提升频谱效率。
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本发明涉及等离子化学气相沉积技术领域，公开了压力控制系统及控制该系统的压力控制方法。其中，压力控制系统包括：与真空腔体通过真空管道连接的真空泵，真空管道上设置有电控制阀门；用于测量真空腔体的真空度的真空计，真空计和电控制阀门通过可编程序控制器通信连接。本发明所提供的压力控制系统能够自发调节真空腔体内的压力，使得气压保持在一定范围内。
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本发明属于功能材料技术领域，具体为一种具有双网络结构的聚苯并咪唑质子导电膜及其制备方法。本发明通过使用两种具有不同反应温度的交联剂，在不同温度条件下对一种线性PBI依次进行两次交联，制得具有双网络结构可用于高温燃料电池质子交换膜的PBI膜。测试表明，改性膜达到相同凝胶率时，双网络结构膜相比单网络结构膜交联剂用量减少40~60%，并且具有更均匀的交联网格密度，更低的甲醇渗透性/空气渗透性/磷酸迁移率，掺杂磷酸后具有更好的机械性能，双网络膜的化学稳定性和热稳定性均高于未改性PBI膜；同时表现出较高的质子电导率（与线性PBI/磷酸体系均为10‑2S•cm‑1数量级）和单电池性能（最大功率密度为350mW•cm‑2，电流密度1150mA•cm‑2）。
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本发明涉及一种基于矿物水凝胶粘合剂的硅负极材料及其制备和应用，将无定型碳酸钙/聚丙烯酸矿物水凝胶粘合剂经盐酸溶解，与硅负极活性材料和导电填料混合后，再经由碳酸铵气相扩散再生，所得到的负极材料可用于开发高性能、高循环寿命的锂离子电池。本发明制备的矿物水凝胶粘合剂在电解液中有着极高的弹性模量(～22GPa)，可有效抑制硅负极在嵌锂过程中的体积膨胀，电化学测试表明以该矿物水凝胶为粘合剂可取得良好的电池循环稳定性和首次库伦效率。
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本发明公开了一种湿法刻蚀和清洗腔体及方法，所述湿法刻蚀和清洗腔体包括：单腔腔体、药剂喷嘴、保护喷嘴、晶圆支架和预热喷嘴；所述晶圆支架用于支撑并带动所述晶圆自传，所述药剂喷嘴设置在所述晶圆的正面，所述保护喷嘴设置在所述晶圆的背面，所述晶圆正面和背面均设置有所述预热喷嘴，以上结构均设置在所述单腔腔体内部。在所述湿法作业预处理方法中，设置在所述晶圆的正面和背面的所述预热喷嘴间歇或连续喷射预热制剂，使所述晶圆的温度缓慢上升并实时监测其温度，待温度达到所述高温化学药剂的温度时停止预热。通过预热使所述晶圆温度缓慢上升、热应力缓慢释放，防止热应力破坏晶圆结构，提高晶圆的良品率。
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本发明提供了一种Co掺杂BZCYO光催化剂、制备方法及其在光诱导反应中光诱导水分解及光催化还原CO2的应用。所述Co掺杂BZCYO光催化剂的化学式为Ba(Zr0.5Ce0.3Y0.2)1‑xCoxO3‑δ，其中，0.01≤x≤0.09。制备方法为：配制研磨液，将各原料置于聚四氟乙烯球磨罐中球磨；冷冻干燥后煅烧；最后研磨均匀。由于Co的存在有利于形成碳链较长的Cn产物，此催化剂制备方法简单，一方面通过掺杂及光热耦合测试来提高催化剂的催化活性，另一方面通过Co的掺杂来获得了较高转化率的多碳烷烃。
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本发明公开了一种7-去氮-7-卤素鸟嘌呤核苷的合成方法；所述方法包括如下步骤：式(III)化合物在碱性条件下去保护基得式(IV1)或(IV2)化合物；进一步去甲基得式(I)化合物，即所述7-去氮-7-卤素鸟嘌呤核苷；其中，R1为H或OH，R2为I、Br或Cl，R3为H或本发明合成的7-去氮-7-卤素-鸟嘌呤核苷是在DNA测序、标记、延伸等生物学领域广泛使用的基本原料，目前其销售价格很高，且合成方法复杂，难以控制；而本发明的合成方法所需原料简单易得，合成过程均为常规化学反应，可用于大规模推广使用。
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本发明公开了一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法，该方法首先将含硫化合物、氧化铋或铋盐、强碱和去离子水加入到反应釜中，在温室条件下搅拌，然后放入真空烘箱中加热反应，反应完成取出反应釜，将所得到的产物离心，干燥即得最终产物。该方法的优点在于所用的实验设备简单，操作方便，元素化学计量比精确，所需的原料价格低廉、无毒性，制备的产物具有片状形貌，并且具有良好的光电探测性能。
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一种三元锂离子电池正极材料，分子式为LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2/ITO，ITO在正极材料中的质量百分比浓度为1%，ITO由In2O3和SnO2组成，In2O3和SnO2的质量比为90：10。还提供了上述材料的制备方法，以CH3COOLi、NiC4H6O4·4H2O,Co(CH3COO)2·4H2O和C4H6MnO4·4H2O为原料，柠檬酸作为络合剂，采用喷雾干燥法获得LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2前驱体，然后高温煅烧、冷却到锂离子电池正极材料。将得到的正极材料通过浸泡然后加热的方法得到ITO表面包覆层。经电化学性能测试，本发明的倍率性能和循环稳定性有较高的提升。
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本发明涉及一种在生理环境中膨胀率极低的高分子水凝胶及其制备和应用，包括PEGDA的合成和膨胀率极低的PEG水凝胶的制备。该方法以不同分子量的聚乙二醇(PEG)为原料，通过酯化反应合成不同分子量的两端带有丙烯酰基的聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)；然后将中间产物PEGDA以不同的浓度进行聚合得到化学交联的PEG水凝胶；最后通过膨胀率的测量筛选出符合要求的低膨胀率的PEG水凝胶。该材料具有生物相容性好、理化性质稳定、膨胀率极低等特点。所得的产物能同时满足基础研究以及临床应用的需求。
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本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，首先采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；接着对隧穿氧化层进行掺氮，且掺氮浓度随着隧穿氧化层的深度逐渐递减；然后在隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；最后采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。本发明在隧穿氧化层中，由于掺氮浓度随着氧化层深度逐渐递减，因此使得整体隧穿氧化层能级也呈平缓递减，当器件处在写入状态时，由于能带在外电场下发生偏转，从而电子发生隧穿时通过的势垒区仍与普通SONOS器件相同，从而保证了擦写速度的要求。同时，在可靠性测试时，需要高温进行烘烤，由于梯度隧穿层的作用，电子逃逸更难以实现，从而保证了SONOS器件的数据保存能力。
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本发明涉及一种包钢工法，应用于竖向大面积跨度隐框幕墙，其具体包括以下步骤：（1）测量出建筑外立面的钢结构尺寸数据；（2）弹出每一块钢带构件位置中心线及分块的控制线；（3）打化学螺栓，固定后置埋件，焊接钢架基层；（4）矫正，固定，局部变形严重段加温处理；经预验合格进行编号后，将钢构件吊挂铆接在钢架基层转接件上；（5）清除粘接部位的浮尘等杂物，依次单次清洁，二次清洁，并保证清洁部位5分钟内粘接；将幕墙硅酮结构胶与中空或夹胶玻璃、多向铝型材副框进行粘接和养护，在需遮挡隐蔽部位采用刮黑处理。本发明工艺流程简单、合理，施工容易，能够较好的控制施工质量，防止钢带因自身挠度扭曲不顺直、且下垂的质量问题。
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本发明属于闪烁晶体材料领域，具体涉及一种共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备 方法，该共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体的化学式为：Li6CexNyGd1-x-yB3O9-δ/2Mδ，其中，M选 自以下元素中的一种或两种：F、Cl、Br和I；N选自以下元素中的一种或两种：Sc、Y、 La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一种以特殊同位素的形式存在；其中0 ＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同时为0，其制备方法为：原料经过混合、固 相合成、化料，在单晶生长炉中通过提拉法生长制备成单晶形态。本发明共掺杂改性硼酸 钆锂闪烁晶体以Ce3+离子为发光中心，锂、钆和硼元素是以锂-6、钆-155、钆-157或硼-10 同位素的一种或其组合的形式存在，起到与被探测中子产生核反应的作用。
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本发明涉及高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器 件制造领域。 本发明基本化学组成为 xPbTiO3+yPbZrO3+zBaTiO3+wSrTiO3+uCaFeO5/2；复合有fwt.％的Cr2O3和 gwt.％的NiO或Bi2O3；其中0.30≤x≤0.50；0.40≤y≤0.70；0.01≤z≤0.10；0.01≤w ≤0.10；0.0≤u≤0.10；0.01≤f≤0.30；0.01≤f≤0.50。本发明经配料混合、压块 成型、预烧、烧结获得的材料的介电常数ε＝1200-1400、压电系数d33＝280～ 380pC/N、机械品质因数Qm＝400～600。本发明具有介电损耗低、晶粒细小、 致密度高、机械强度高的特点，温度稳定性好，在超声换能器、特别是在石油 声波测井领域具有广阔的应用前景。
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