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三维存储器及其制造方法

1001   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:01:23
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括:存储区域,包括至少一个块存储区;标识结构,包括至少一个标识;所述标识位于所述存储区域或者位于所述存储区域的外围,用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址。本发明能够快速定位到目标地址,大大提高了工作效率和定位成功率,减少了失效分析的成本。
声明:
“三维存储器及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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