本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括:存储区域,包括至少一个块存储区;标识结构,包括至少一个标识;所述标识位于所述存储区域或者位于所述存储区域的外围,用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址。本发明能够快速定位到目标地址,大大提高了工作效率和定位成功率,减少了失效分析的成本。
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