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基于MOSFET测量结温的方法及其装置

980   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:38
本发明公开了一种基于MOSFET测量结温的方法及其装置,用于测量器件在规定环境温度下和规定工作条件下的结温,所述器件包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端和一第二输出端,方法包括如下步骤:获取初始电压;获取规定工作条件下第一输出端对第二输出端上消耗的功率;对第二输出端和第一输出端施加与上步相等的功率;获取终测电压;计算器件在所述规定环境温度下和所述规定工作条件下的结温。本发明的技术方案属于无损伤结温测试,可以有效的避免器件自身时间延时对测试准确度的影响,可测量器件任意工作环境下真实结温,实施方法简单、易行、适合工程应用并且对测试设备依赖程度较低。
声明:
“基于MOSFET测量结温的方法及其装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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