合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 无损检测技术

> 硅外延层过渡区的无损检测方法

硅外延层过渡区的无损检测方法

845   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:50
本发明公开了一种硅外延层过渡区的无损检测方法,属于硅外延生长技术领域。本发明的方法包括下述步骤:(1)生长前利用电容位移传感器的方法先测量硅衬底片总厚度Tsub;(2)将硅衬底片外延生长,取片后利用红外膜厚测试仪测量硅外延层厚度Tepi,测量位置和外延前测量硅衬底片厚度的位置相对应;(3)然后利用电容位移传感器测量外延后的硅片的总厚度Ttot,其测量位置和硅衬底片测量厚度的位置相对应;(4)利用公式:(硅衬底片总厚度Tsub+硅外延层厚度Tepi)–外延后硅片的总厚度Ttot,得到过渡区长度。本发明的方法具有无损、准确率高、检测速度快的优点。
声明:
“硅外延层过渡区的无损检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
无损检测
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记