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本发明涉及一种时间分辨吸收光谱装置，具体涉及一种单次激发飞秒时间分辨吸收光谱测量装置；解决了现有时间分辨吸收光谱装置测量时间长、对激光稳定性要求高、时间信息受机械复位精度影响、不能对生物样品、一次性化学反应过程、流体样品进行测量的技术问题。本发明的技术解决方案是：一种单次激发飞秒时间分辨吸收光谱测量装置，包括飞秒脉冲激光器、第一分束镜、探测单元、泵浦单元；飞秒脉冲激光器的出射光路上设置第一分束镜；第一分束镜的反射光路上设置探测单元，第一分束镜的透射光路上设置泵浦单元。
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本发明公开了一种类卡林型金矿深部探测方法，包括开展矿床地质调查，查明控矿因素与矿体展布规律，研判深部矿体发育潜力；开展深部地球物理测量，获得深部构造薄弱带信息，圈定深部控矿构造部位；开展多极距激电联剖测量，获得深部矿化蚀变带信息，判定深部是否存在矿化；深部矿体预测，钻探查证落实资源。与现有技术相比，本发明将多元地球物理探测手段、地球化学探测手段和地质手段有序结合，实现了类卡林型金矿床千米深度的金矿体有效探测，丰富了勘查体系，提高了勘探几率，降低了勘探成本，具有推广应用的价值。
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本发明公开了一种纸张涂层材料渗吸特性的测量方法，该方法按照以下方法进行纸张涂层材料渗吸特性的测量，利用氮气吸附仪测量纸张涂层材料的吸附曲线和结构相关参数，通过吸附曲线和结构相关参数求解纸张涂层材料的结构特征指数；利用测量材料的孔隙率和平均粒径等参数，通过本发明提出的计算公式可得到纸张涂层材料渗吸特性曲线。本发明方法利用材料物理化学中结构测量的相关参数，基于数学计算的方法，测量出纸张涂层材料渗吸特性曲线，为表征纸张涂层材料渗吸特性提供了一种方法。
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本发明公开了一种工业纯铪金相组织的观测方法，该方法为：一、在工业纯铪表面机械加工出金相观测平面，研磨，冲洗掉金相观测平面上的砂粒；二、将冲洗掉砂粒的金相观测平面浸入化学抛光溶液中抛光；三、将抛光后的金相观测平面浸入腐蚀溶液中侵蚀；四、以经侵蚀后的金相观测平面作为阳极，铅板作为阴极，将金相观测平面浸入电解液中，在室温条件下对金相观测平面进行阳极氧化处理；五、将经阳极氧化处理后的金相观测平面置于金相显微镜下，采用偏光观察的方式进行金相组织的观测。本发明的方法能有效解决现有的工业纯铪金相样品很难获得清晰组织的问题，避免了因为抛光和腐蚀不当而导致观测到的金相组织不清晰和容易产生判断失误的缺点。
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本发明属于分子光谱辐射的相关计算技术领域，公开了一种非平衡流中OH紫外光谱辐射特性测定方法、系统及设备，运用仿真软件模拟出高速飞行器在高空飞行的气体流场温度、压强及组分浓度的分布；根据流场分布情况，沿确定视线方向对流场进行分层处理，获得每层的温度、压强及各组分的浓度分布；计算OH碰撞‑辐射模型中的化学反应速率；将流场参数带入碰撞‑辐射模型中，编程计算OH(A)不同振动能级的数密度；根据视在积分法，运用编程计算尾焰或激波层中OH的光谱辐亮度。本发明考虑OH分子精细化能级结构对碰撞‑辐射模型中化学反应速率的影响，从而大大提高了相关计算的精度，也更精确地给出非平衡流中OH光谱辐射特性的计算结果。
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本发明涉及测力技术领域，具体涉及一种测量AM‑AA凝胶与长输管道黏附力的装置及方法。旨在解决现有的测试胶体与金属基体之间黏结强度试验方法中，取样时会破坏胶体与金属基体间由于化学反应所产生的离子键的问题。本发明采用的技术方案包括包括拉力压力试验组件及测力杯组件，所述测力杯组件包括测力杯和测力棒两部分组成，测力杯由桶状的杯体、中间有孔的上端盖和下端盖组成，所述上端盖与杯体可拆卸连接；下端盖与杯体为可拆卸连接，下端盖外围端面上均布有连接孔；所述下端盖的内侧中心位置设置有定位槽，上端盖的中间孔直径大于测力棒直径；所述测力杯固定于支架的下部，测力棒的上端与拉力计连接，其下部穿设通过上端盖，下端嵌设于定位槽。
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本发明涉及热量测定技术，特别是一种数字化和 自动化的热量测定技术。本发明是根据“衬偿式量热 学原理”中所提出的“热量自动测量模型”，在计算机 控制下，通过信息反馈完成生物、化学或其他过程中 热效应的数字化和自动化测定。利用本发明制成的 热量计，具有高达10-6Joule数量级的测量灵敏度和 连续的高达1030Joule的大量程。同时，不仅测量过 程是自动的，而且对于被测热过程的热功率能够进行 自适应测量。而且，本项技术既能测量总热效应，又 能测量热功率，测定结果直接以数字形式显示出来。
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本发明公开了一种用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法，包括：采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度为500‑900℃；高温区为锌源，温度为850‑1100℃，锌源为氧化锌和碳粉的混合物；调整双温区化学气相沉积管式炉的升温速率为10℃/min，通入纯度为99.99％的氮气和纯度为99.99％的氧气的混合载气，当低温区、高温区达到各自的温度后，保温20‑30min，关断混合载气，然后抽真空、自然冷却到室温，得到MgZnO纳米线阵列。本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线，不需要提前制备种子层，完全是无催化剂条件，在20‑30min内即可制备成功，实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长，耗时短，操作简单。
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本实用新型公开了一种地面控制测试安全阀，包括上接头、鸭脖外筒、弹簧外筒、活塞芯轴、弹簧、单向阀、球阀外筒、球阀总成、下限位球座及下接头，所述上接头、鸭脖外筒、弹簧外筒、球阀外筒及下接头依次固定连接形成中空的壳体，活塞芯轴、弹簧、单向阀、球阀总成及下限位球座依次设置在上接头、鸭脖外筒、弹簧外筒、球阀外筒及下接头形成的壳体里，鸭脖外筒内壁上设有控制管道、平衡管道及化学注入通道，控制管道保持压力使所述球阀总成始终处于开启状态，平衡管道充入氮气形成的压力与所述弹簧、单向阀配合驱动所述球阀总成关闭实现切割连续油管，通过化学注入通道向井底注入化学剂。
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本发明公开聚苯胺/活性炭复合材料的制备方法，将铅笔芯浸泡于活性炭水分散液、活性炭石蜡分散液，烘干后缠绕导电铜丝制成活性炭‑铅笔芯电极；采用三电极体系，将活性炭‑铅笔芯电极作为工作电极，通电进行循环扫描，活性炭‑铅笔芯电极表面即形成聚苯胺/活性炭复合材料膜。本发明公开聚苯胺/活性炭复合材料的测试方法，采用三电极体系，将活性炭‑铅笔芯电极作为工作电极置于H2SO4溶液中，通电扫描得到循环伏安曲线；在不同频率测试阻抗谱，计算阻抗值。本发明采用电化学法制备聚苯胺/活性炭复合材料，反应条件易于控制，步骤简单，制备的产物无需分离提纯，且一步完成了对聚苯胺的掺杂，改善了聚苯胺的电化学性能。
本发明公开了一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料，其化学式为CH3NH3(PbxTm1‑x)(BryI1‑y)3，其中，x＝0.91，y＝0.451‑1，该材料性能稳定，具有较好的电阻率和较低的漏电流，电阻率可达4.79×108Ω·cm，漏电流可达56nA；本发明还提供了该晶体材料的制备方法，配置含有溴元素和碘元素的前驱液并将其混合形成混合液，将稀土氧化物Tm2O3混合至该混合液中，过滤后将其置于加热水箱中加热使晶体生长，干燥后即得到晶体材料，制备工艺简单，过程易于控制，在晶体生长过程中通过三段升温控制方法使得晶体生长过程稳定，生长的晶体质量较高，性能好，成本低。
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一种运行热量测试装置的方法，运行之际，黄铜合金罩的外壁同化学制剂配备剂相接，配备剂的热量经由黄铜合金罩发送至气流腔里的气流，让气流腔里的热量增大，以此让气流腔里的铝合金板一与铝合金板二均伴着热量增大来延展，在热量增幅一致的状况下，铝合金板一延展的值多点，另铝合金板二延展的值少点，凭借铝合金板一与铝合金板二为一体的，由此全体即出现朝里回收，对不锈钢感抗形变条加个冲量，不锈钢感抗形变条于冲量效应下，它的感抗数就出现变化，对应的回路里的电平值亦出现了变化，于是发送至操纵设备的竖直亦随之变化。关键避免了现有技术中化学制剂关键组份对热量过于灵敏、无法及时了解化学制剂配备剂的热量的缺陷。
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本发明的电磁复合材料的制备方法，包括：利用铅笔芯和碳纳米管粉末制备MWCNT‑PEC并制成MWCNT‑PEC电极；在MWCNT‑PEC电极表面制备2,4‑DMA‑MIP‑MWCNT‑PEC印迹聚合物薄膜电极；然后在该电极上聚合PANI/NIHCF，即得2,4‑DMA‑MIP/PANI/NIHCF电磁复合材料。本发明还公开对该电磁复合材料电化学性能的测试方法。本发明采用电化学方法利用多壁碳纳米管修饰的铅笔芯电极在其表面进行一次电聚合形成2,4二甲基苯胺印迹聚合物膜电极，再进行二次电聚合形成掺杂了聚苯胺和铁氰化镍的复合膜层，具有比表面积大、膜层厚度可控、重量轻、化学稳定性好、导电性能优异的优点。
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本实用新型涉及一种矿井突水灾害预警的组合传感器监测系统。矿井水害时刻威胁采矿工人的生命安全,也是井工采矿业的一个难题,多年来我们矿井水害防治的研究人员做了大量的研究实践工作,总结出预防突水的技术。本实用新型包括信息处理模块、应力传感器、应变传感器和水化学、水压及温度传感器,水化学、水压及温度传感器、应力传感器、应变传感器由下至上依次设置在同一钻窝的两个或三个钻孔内,并且分别通过信号传输线与信息处理模块连接。本实用新型采用了一孔置入多个不同类型的传感器,使得监测矿井突水的方法实用、低成本、高效,有较强的创新性。
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本发明公开了一种反渗透装置膜寿命预测系统，包括反渗透装置脱盐率模拟量输入块、速率块、反渗透装置实时产水流量模拟量输入块、第五比较大于块、反渗透装置完成化学清洗开关量输入块、非块、第四与块、第二二选一切换块、第二脉冲块、第三二选一切换块、F(x)函数块、第二减法块及反渗透装置膜使用寿命模拟量输出块，该系统能够预测反渗透装置在每次完成化学清洗后反渗透膜的剩余使用寿命。
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本发明公开了一种测定增材制造钛合金表面钝化膜稳定性的方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，选取增材制造钛合金试样并进行钝化处理；步骤2，将经步骤1钝化处理增材制造钛合金试样进行电化学阻抗谱测试；步骤3，对经步骤2得到的电化学阻抗谱结果进行拟合与解析。本发明的一种测定增材制造钛合金表面钝化膜稳定性的方法，能有效评价增材制造钛合金钝化膜在硫酸溶液中稳定性。
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本发明公开了一种硝基含能化合物制备过程硝化反应热效应的测量方法，该方法先通过量热实验测量含能材料制备过程中的总热效应ΔrHm以及在相同条件下硝化反应当量生成水与浓酸反应的热效应ΔrHm, 2，两者的差值即为测量得到的含能材料制备过程中硝化反应热效应ΔrHm, 1；接着采用不同的量子化学方法计算含能材料制备过程中硝化反应热效应ΔrH′m, 1，选择ΔrHm, 1与ΔrH′m, 1相对误差最小的量子化学方法作为相应含能材料制备过程硝化反应热效应的计算方法，然后根据优选的方法计算目标温度T下含能材料制备过程硝化反应热效应ΔrHm, 1(T)。本发明为硝基含能化合物制备过程硝化反应热效应的测量提供一种有效的方法，为相关含能材料研究与生产过程中换热器的设计及合适工艺参数的选择提供依据。
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本发明公开了一种基于电子束等离子刻印制备自旋显微微悬臂探测器方法,首先低温低压化学LPCVD方法基片镀制二氧化硅膜。其次,等离子体RIE刻蚀镀二氧化硅膜的SOI基片刻蚀窗口阵列。第三、湿刻基片。碱性溶液腐蚀等离子体开窗的WAFER窗口。第四、窗口SI薄膜涂覆光阻胶。第五、EBL制备了振荡器的形状,电子束曝光,电子显微刻蚀系统MASH掩膜刻蚀。第六、等离子体RIE刻蚀刻除SI(无光刻胶部分)刻出振荡器微结构。最后等离子体RIE刻蚀清除探测器表面的光刻胶,刻出完全振荡器微结构。本发明制备的探测器品质因数高、分辨率高、倔强系数优、结构紧凑、灵敏度高,制备具有工作可靠参数优的特点。
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本发明公开了一种基于二硒化钨的自驱动光电探测器及其制备方法，属于二维半导体光电探测器的设计和制备技术领域。所述的探测器材料为化学气相沉积法生长的大面积二硒化钨单层，利用探针将二维半导体刻画成非对称沟道，致使器件可以在零偏压下工作，降低了功耗，进而制备无需源漏电压即可工作的自驱动型光电探测器。本发明公开的基于二硒化钨的自驱动光电探测器的制备方法简单，易于操作，并且很容易推广到其他化学气相沉积法获得的材料；采用干法转移技术将两个电极转移到沟道材料表面，避免光刻工艺对材料产生破坏，减弱费米钉扎效应，使器件具有良好的栅控特性。
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本发明涉及一种锡元素的测定方法。试样经过去氧化处理,用盐硝混酸溶解,用氨水和盐酸调节溶液酸度;以过量EDTA将锡及其它凡能与EDTA络合的元素均定量地络合,以二甲酚橙作指示剂,用标准滴定溶液滴定过量EDTA,加入六次甲基四胺进行缓冲,使pH值在5～6之间,加入氟化钠,析出与锡量相当的EDTA;再用标准滴定溶液滴定析出的EDTA,滴定至溶液由黄色变为红色为止,根据第二次滴定所消耗的标准滴定溶液的体积,计算锡的百分含量。方法的回收率为95.54%～104.76%,相对标准偏差为1.41%～2.67%。本发明所涉及的试剂均为常用的化学试剂,不需要特殊装置,而且过程简单,测定周期短,成本较低。
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本发明公开了一种铌-钨-钼合金金相组织的观测方法，该方法为：一、将铌-钨-钼合金样品的观测面通过机械加工成平面，然后在金相研磨机上研磨，研磨后冲洗掉样品上的砂粒；二、将冲洗掉砂粒的铌-钨-钼合金样品置于抛光机上进行机械抛光；三、将经机械抛光后的铌-钨-钼合金样品浸入抛光溶液中进行化学抛光，然后用清水冲洗干净；四、将经化学抛光后的铌-钨-钼合金样品浸入腐蚀溶液中侵蚀，使铌-钨-钼合金样品表面呈银灰色；五、将经腐蚀溶液侵蚀后的铌-钨-钼合金样品置于显微镜下进行金相组织的观测。本发明的方法易于操作，不需任何特殊设备，能清晰地观测出铌-钨-钼合金的金相组织。
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本发明公开了一种地面控制测试安全阀，包括上接头、鸭脖外筒、弹簧外筒、活塞芯轴、弹簧、单向阀、球阀外筒、球阀总成、下限位球座及下接头，所述上接头、鸭脖外筒、弹簧外筒、球阀外筒及下接头依次固定连接形成中空的壳体，活塞芯轴、弹簧、单向阀、球阀总成及下限位球座依次设置在上接头、鸭脖外筒、弹簧外筒、球阀外筒及下接头形成的壳体里，鸭脖外筒内壁上设有控制管道、平衡管道及化学注入通道，控制管道保持压力使所述球阀总成始终处于开启状态，平衡管道充入氮气形成的压力与所述弹簧、单向阀配合驱动所述球阀总成关闭实现切割连续油管，通过化学注入通道向井底注入化学剂。本发明可以借助充氮压力或平衡管线压力切割测试电缆和连续油管。
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一种工业废气监测系统，包括废气采样模块，废气采样模块的输出通过粉尘过滤模块和电化学传感器模块的第一输入连接，电化学传感器模块的第二输入和传感器清洗模块的输出连接，电化学传感器模块的信号输出和微控制器的第一输入连接，微控制器的第二输入和电源模块的输出连接，微控制器通过通信模块和移动终端模块双向无线连接，移动终端模块的第一、第二输出分别与存储模块、报警显示模块连接，电源模块、微控制器、废气采样模块、粉尘过滤模块、电化学传感器模块、传感器清洗模块和通信模块安装在无人机的机体下方，粉尘过滤模块、传感器清洗模块与电化学传感器模块配合，延长了电化学传感器模块的使用寿命，采用无人机灵活性强，安全可靠。
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本发明公开了一种高温合金EBSD测试试样的处理方法，该方法包括：一、机械打磨：将高温合金试样依次进行粗打磨、细打磨和机械抛光；二、化学腐蚀后进行金相拍照并拼图，确定缺陷所在位置并做标记处理，计算获得测试表面内枝晶间距的平均值；三、依次重复细打磨和机械抛光去除酸腐蚀层，然后进行去应力腐蚀，得到高温合金EBSD测试试样。本发明将高温合金试样机械打磨后进行化学腐蚀，并获得试样测试表面内枝晶间距的平均值以确定EBSD测试步长，然后去除酸腐蚀层并进行去应力腐蚀，利用腐蚀液的强氧化性有效去除高温合金试样的表面应力，解决了高温合金EBSD测试制样困难、工序复杂且周期长的问题，具有简单、实用和高效的特点。
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本实用新型涉及变压器早期潜伏性故障在线监测装置,变压器有一根油循环管路与脱气装置连接,脱气装置与化学电池传感器连接,化学电池传感器输出电信号送入变送器,变送器分两路与数据采集电路和输出端子电路连接,由计算机对送入的电信号进行比较计算,将计算结果信号分两路送入数据远传通讯和声光或语音报警电路报警。利用变压器早期潜伏性故障产生的过热和放电对绝缘油和有机绝缘材料化学分解作用,对溶解于绝缘油中反映故障的特征气体适时监测,给出故障气体越限预、报警信号,限制故障发展,保证发供电系统稳定运行,适时对发供电系统中电力变压器状态进行监测,竭制事故隐患发展,优化设备安全经济运行,结构简单,安装方便。
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一种蒸发器金属腐蚀测量系统，包括蒸发器、取样泵、测量池、参比池以及与双电极测量探头和若干三电极测量探头相连的电化学工作站；蒸发器、取样泵、测量池和参比池依次相连，测量池的料液出口与蒸发器的料液入口相连；测量池内设有用于测定物化特性的在线监测仪表以及若干套用于挂设金属试片的安装支架；三电极测量探头的工作电极和辅助电极以及双电极测量探头设在测量池中，若干三电极测量探头的参比电极设在参比池中；电化学工作站和在线监测仪表均与用于数据处理、向蒸发器运行控制系统发出在线监测结果和腐蚀警报的数据采集控制装置相连。本实用新型能够测量动态条件下的各种金属腐蚀数据，掌握动态腐蚀状况。
本发明公开了预测掺杂银/二氧化锡电接触材料耐电弧烧蚀性能的方法，具体为：首先，利用物理或化学工艺制备金属掺杂SnO2粉体，压制成型，再将金属掺杂SnO2块体放置在激光器下，进行电弧烧蚀，观察电弧烧蚀后金属掺杂SnO2的微观形貌，即可预测金属掺杂Ag/SnO2电接触材料的耐电弧烧蚀性能。本发明方法利用激光模拟电弧直接对金属掺杂SnO2模拟电弧烧蚀来预测金属掺杂Ag/SnO2电接触材料耐电弧烧蚀性能，其工艺简单，避免了通过复杂工艺制备掺杂Ag/SnO2电接触材料，同时节约了成本。
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一种金属腐蚀度测试装置，包括蒸发器、取样泵、测量池、参比池以及与双电极测量探头和若干三电极测量探头相连的电化学工作站；蒸发器、取样泵、测量池和参比池依次相连，测量池的料液出口与蒸发器的料液入口相连；测量池内设有用于测定物化特性的在线监测仪表以及若干套用于挂设金属试片的安装支架；三电极测量探头的工作电极和辅助电极以及双电极测量探头设在测量池中，若干三电极测量探头的参比电极设在参比池)中；电化学工作站和在线监测仪表均与用于数据处理、向蒸发器运行控制系统发出在线监测结果和腐蚀警报的数据采集控制装置相连。本发明能够测量动态条件下的各种金属腐蚀数据，掌握动态腐蚀状况。
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一种蒸发器金属腐蚀测量系统及方法，包括蒸发器、取样泵、测量池、参比池以及与双电极测量探头和若干三电极测量探头相连的电化学工作站；蒸发器、取样泵、测量池和参比池依次相连，测量池的料液出口与蒸发器的料液入口相连；测量池内设有用于测定物化特性的在线监测仪表以及若干套用于挂设金属试片的安装支架；三电极测量探头的工作电极和辅助电极以及双电极测量探头设在测量池中，若干三电极测量探头的参比电极设在参比池中；电化学工作站和在线监测仪表均与用于数据处理、向蒸发器运行控制系统发出在线监测结果和腐蚀警报的数据采集控制装置相连。本发明能够测量动态条件下的各种金属腐蚀数据，掌握动态腐蚀状况。
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本发明涉及一种用于长波光通信的光电探测器及其制备方法，其中，所述制备方法包括：选取N型Si或SOI衬底；在所述衬底上生长Ge缓冲层；在所述Ge缓冲层上生长N型GeSn缓冲层；在所述GeSn缓冲层上生长GeSn/Ge多量子阱有源层；在所述GeSn/Ge多量子阱有源层上生长GeSn接触层；在所述GeSn接触层上采用等离子体化学气相沉积工艺生长SiO2；光刻引线以制备所述光电探测器。本发明制备的用于长波光通信的光电探测器测器兼容Si CMOS工艺，克服了暗电流大，低于1800nm连续波段探测问题，高效，且能够在GeSn量子阱中引入不同的应变，调节量子阱的带隙结构以扩展光电探测器的吸收波长范围和吸收系数。
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