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基于电子束等离子刻印制备自旋显微微悬臂探测器方法

852   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:46
本发明公开了一种基于电子束等离子刻印制备自旋显微微悬臂探测器方法,首先低温低压化学LPCVD方法基片镀制二氧化硅膜。其次,等离子体RIE刻蚀镀二氧化硅膜的SOI基片刻蚀窗口阵列。第三、湿刻基片。碱性溶液腐蚀等离子体开窗的WAFER窗口。第四、窗口SI薄膜涂覆光阻胶。第五、EBL制备了振荡器的形状,电子束曝光,电子显微刻蚀系统MASH掩膜刻蚀。第六、等离子体RIE刻蚀刻除SI(无光刻胶部分)刻出振荡器微结构。最后等离子体RIE刻蚀清除探测器表面的光刻胶,刻出完全振荡器微结构。本发明制备的探测器品质因数高、分辨率高、倔强系数优、结构紧凑、灵敏度高,制备具有工作可靠参数优的特点。
声明:
“基于电子束等离子刻印制备自旋显微微悬臂探测器方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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