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用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法

1104   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:47
本发明公开了一种用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法,包括:采用双温区化学气相沉积管式炉,低温区为镁源,温度为500‑900℃;高温区为锌源,温度为850‑1100℃,锌源为氧化锌和碳粉的混合物;调整双温区化学气相沉积管式炉的升温速率为10℃/min,通入纯度为99.99%的氮气和纯度为99.99%的氧气的混合载气,当低温区、高温区达到各自的温度后,保温20‑30min,关断混合载气,然后抽真空、自然冷却到室温,得到MgZnO纳米线阵列。本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线,不需要提前制备种子层,完全是无催化剂条件,在20‑30min内即可制备成功,实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长,耗时短,操作简单。
声明:
“用于紫外光电探测器的MgZnO纳米线阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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