本发明公开了一种基于二硒化钨的自驱动光电探测器及其制备方法,属于二维半导体光电探测器的设计和制备技术领域。所述的探测器材料为化学气相沉积法生长的大面积二硒化钨单层,利用探针将二维半导体刻画成非对称沟道,致使器件可以在零偏压下工作,降低了功耗,进而制备无需源漏电压即可工作的自驱动型光电探测器。本发明公开的基于二硒化钨的自驱动光电探测器的制备方法简单,易于操作,并且很容易推广到其他化学气相沉积法获得的材料;采用干法转移技术将两个电极转移到沟道材料表面,避免光刻工艺对材料产生破坏,减弱费米钉扎效应,使器件具有良好的栅控特性。
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