上海有色金属分析检测技术理论与应用

基于历史运行故障数据的数控机床可靠性预估方法 930     

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本发明提供一种基于历史运行故障数据的数控机床可靠性预估方法。基于以往数控机床的历史运行故障数据的采集与管理以及产品的失效分析，历史运行故障数据包括系统运行故障数据以及部件运行故障数据，通过威布尔分布对数控机床的系统寿命进行三参数威布尔分布建模并对其参数进行估计，进而得出以往数控机床的系统故障间隔时间和系统失效率；再采用评分分配法并根据部件运行故障数据得出待评数控机床的每个部件的失效率分配系数ki，进而得出待评数控机床的每个部件的部件失效率，并根据部件失效率对部件的可靠性进行评价，提出可能采取的预防改进措施，以提高产品质量和可靠性。

基于功率信号的磨削消空程与防碰撞方法 909     

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本发明涉及一种基于功率信号的磨削消空程与防碰撞方法，采样主轴静止功率k；采样主轴空转功率d；采样主轴试磨削最大功率m；根据上述功率信号设定参考设定值h，h值在k与d之间；通过试磨削最大功率信号m和主轴空转功率信号d的差值来确定设定比例系数a，并建立相对d的消空程控制线d+d*a；设置防碰撞控制线b，b>m；通过几条控制线的设定，结合数控机床数控系统与数据采集卡交互来避免机床主轴砂轮在整个工件毛坯余量内以空程速度进行撞击，通过对控制信号的延时设置解决了磨削工件毛坯形状不规则导致消空程失效问题。利用自动检测功率传感器与数据采集卡是否正常来防止消空程发生故障。方法对提高磨削加工效率和磨削加工质量具有重要意义。

电缆断线故障的报警装置及方法 1002     

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本发明提供一种电缆断线故障的报警装置及方法，该报警装置包括从前至后间隔布设于待检测的电缆线上的检测点；装设于起始处检测点的起始检测模块，用于检测起始处检测点距相邻的下一处检测点之间的所述电缆线是否断线；装设于除起始处检测点以外的检测点的中继检测模块，用于检测其所在的检测点距相邻的下一处检测点的所述电缆线是否断线；与所述起始检测模块通信连接的终端设备。本发明具有实时检测的功能，且能及时准确的发现电缆线的断线故障，便于及时修护，本发明还具有易于实施，可对现有已敷设的架空电缆进行实施，可随时随地、防止雷击失效，可现场声音报警等优点。

采用三单相结构的动态电压补偿器 895     

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本发明涉及一种采用三单相结构的动态电压补偿器,包括:电网的三相交流电压输入到整流模块;所述的整流模块是采用整流控制环节输出的PWM控制三单相全桥电路;整流模块的直流电压输出到由直流电容构成的直流储能模块;直流储能模块直流输出到逆变模块;所述的逆变模块是采用逆变控制环节输出的PWM控制三单相全桥电路;逆变模块输出到滤波并网模块;所述的滤波并网模块由LC电路构成,通过电容直接串入电网;检测模块输入为系统的电压电流模拟量信号,作为参考波分量的输出送入逆变器控制环节;本发明的有益效果是:彻底解决了三相电压不平衡的补偿问题;同时也可以进行各单相独立工作,在某一相失效时不影响另外两相的正常工作。

自适应闪存写入操作控制方法及电路 683     

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本发明公开了一种自适应闪存写入操作控制方法及电路，该方法包括如下步骤：步骤一，当处理写入操作时，对两个参考单元的阈值电压进行检测；步骤二，将检测的阈值电压与不同参考阈值比较，根据比较结果判断当前行的阈值范围，从而取得当前行所处状态，继而判断相应的预编程，擦除，渐进擦除或编程操作,本发明可自适应的对闪存对应行进行擦除或写入操作，有效的防止对存储单元的过度擦除导致的过饱和失效，同时针对擦除不足的行，通过渐进式擦除机制，防止因擦除不足造成的闪存失效。

接入网络系统中用于更新用户设备P-CSCF配置的方法及其装置 1023     

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本发明提供了一种接入网络系统中用于更新用户设备P-CSCF(代理呼叫会话控制功能)配置的方法及其装置,用户设备在通过发现流程得到P-CSCF列表,选择其中一个P-CSCF来进行接入,用户设备监视当前P-CSCF的工作状态,在所述P-CSCF的工作状态变化时通知DHCP(动态主机配置协议)服务器;DHCP服务器通知网络中使用该P-CSCF得其他用户设备执行P-CSCF配置更新操作,如此,在P-CSCF工作状态失效,使用该P-CSCF的其它用户设备能立即得到P-CSCF配置更新,无需尝试向该P-CSCF进行重复检测,之后再重选P-CSCF、重新注册所导致的延迟。

焊接前桥厚度匹配优化方法及系统 958     

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本发明公开一种焊接前桥厚度匹配优化方法及系统，包括，获取载荷谱及力学特征参数，通过力学特征参数构建多体动力学模型，并基于多体动力学模型，通过虚拟迭代方法对所述载荷谱进行分析，获得前桥接附点载荷；构建前桥有限元模型，基于前桥接附点载荷及前桥有限元模型，获取失效焊缝位置；基于失效焊缝位置的应力状态，获取失效主导载荷，基于失效主导载荷，通过自适应响应面法对所述失效焊缝位置的厚度进行匹配优化，得到焊接前桥厚度匹配优化结果。通过上述技术方案，本发明能够通过焊缝区厚度参数的匹配优化，来提升前桥焊缝的疲劳寿命。

混凝土屋顶防渗漏的优化方法 1028     

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本发明涉及屋顶防渗漏技术领域，具体公开了一种混凝土屋顶防渗漏的优化方法，包括以下步骤：S1、对混凝土屋顶用建筑材料的吸水率和渗漏率进行数据对比分析，得出优化结论；S2、对混凝土屋顶构造做法选型的排水效率和抗渗性能进行分析，得出优化结论；S3、对混凝土屋顶排水构造做法选型的排水效率和抗渗性能进行分析，得出优化结论；S4、通过对步骤S1‑3获得的理论数据对比分析，运用FMEA计算对混凝土住宅屋顶发生各种渗漏失效模式概率，通过数据对各种常用建筑材料进行数据对比分析、通过对屋面常用构造做法的排水效率和抗渗性能进行分析、通过数据对各种排水构造的排水效率和抗渗性能进行分析，得出优化结论。

电炉除尘系统的挡板控制装置 784     

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本实用新型公开了一种电炉除尘系统的挡板控制装置,该控制装置通过将第一压力传感器安装于结渣最少,压力与电炉内压力相差无几的电炉除尘烟道的最高处,从而有效减少炉渣的影响以及其它干扰;并且通过将第二压力传感器安装于除尘系统的燃烧室上部,将检测信号输入PLC I/O模块与第一压力传感器的检测信号进行比较,不但能够通过PLC控制单元对第一压力传感器是否失效进行判断及报警,而且还能够用于当第一压力传感器失效后的继续测压及挡板控制,从而保证除尘系统的除尘抽风能力始终与电炉炉压相匹配。

旋转弹箭非定常气动响应特性评估方法和系统 939     

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本发明提供了一种旋转弹箭非定常气动响应特性评估方法和系统，包括：步骤1：进行非定常气动力建模；步骤2：进行气动非线性分析，包括静稳定力矩非线性分析、Magnus力矩非线性分析和阻尼力矩非线性分析；步骤3：进行动态稳定性分析，包括平衡点附近线性化分析和基于非线性模型的α‑β相平面流型分析。本发明解决了传统线性化无法充分考虑非定常气动特性、进而评估失效的难题，可直接用于指导旋转弹箭气动设计，避免飞行试验中气动非定常效应导致异常运动现象的风险。

面向虚拟算法验证的通用虚拟传感数据采集方法及系统 961     

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一种面向虚拟算法验证的通用虚拟传感器模型建模方法，通过建立模型指标，采用基于MCMC方法的新型建模技术，建立真实分布模型，并建立可以纳入虚拟仿真平台的虚拟传感器模型。简化了数据采集阶段的操作，数据的分类和处理可以自动化实现，提升数据采集效率。本发明建立的虚拟传感器模型能够反映真实环境下特定目标状态条件下传感器对其检测概率、分类能力、运动状态检测精度，赋予虚拟测试中虚拟传感器符合真实情况的失效能力，便于验证规划、控制算法在传感器失效等极端场景下的鲁棒性、有效性。

基于FMEA的模型化需求条目管理方法 812     

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本发明公开了一种基于FMEA的模型化需求条目管理方法包括：根据预设的功能管理模型，建立系统需求文档，系统需求文档包括若干级功能标签条目和功能管理模型的架构；根据待办任务，自动生成FMEA分析表格，将系统需求文档中的若干级功能标签条目自动填充至所述FMEA分析表格中；根据功能管理模型的架构，在FMEA分析表格中开展失效模式影响分析，将危害信息和安全需求信息识别为危害条目和安全需求条目并对应自动填入至所述FMEA分析表格中；根据预设的安全分析文档模板，将FMEA分析表格中的危害条目和安全需求条目自动填充至预设的安全分析文档模板的预定义的位置，得到安全分析文档。本发明解决了需求和安全分析脱节的问题。

涡轮盘的疲劳-蠕变可靠性寿命评价方法 819     

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本发明涉及一种涡轮盘的疲劳‑蠕变可靠性寿命评价方法，包括步骤：S1：确定涡轮盘的材料属性参数、几何参数及其分散性规律；S2：对材料属性参数和几何参数进行抽样，生成M组样本；S3：进行有限元分析，得到涡轮盘应力应变场；S4：获得每一组样本的疲劳‑蠕变总寿命；S5：建立XGBoost代理模型；S6：重新抽样，得到扩充样本，并利用XGBoost代理模型输出扩充样本的疲劳‑蠕变总寿命；S7：对所有样本的疲劳‑蠕变总寿命进行可靠性分析，得到涡轮盘的失效概率。本发明的涡轮盘的疲劳‑蠕变可靠性寿命评价方法，考虑涡轮盘的材料属性与关键位置几何尺寸的不确定性，从而获得稳态循环周次下的涡轮盘的失效概率。

芯片封装块解封装的方法及装置 867     

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本发明提供了一种芯片封装块解封装的方法及装置,该方法包括步骤:提供芯片封装块;将所述芯片封装块放置于基台上;向所述芯片封装块表面滴注硝酸、硫酸和去离子水的混合溶液,对所述芯片封装块和所述基台进行加热,该方法提高了对解封装后的芯片及引线失效性分析的准确性。

穿孔式高增益光电系统级封装结构的热疲劳优化设计 920     

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本发明公开了一种穿孔式高增益光电系统级封装结构的热疲劳优化设计，其特点是该封装结构的热疲劳优化设计包括：封装结构的三维建模、结构模型的热疲劳分析和协同仿真以及调整结构参数进行多次循环收敛的对比验证，直至选取到电磁和热疲劳性能最佳的结构参数结束优化设计。本发明与现有技术相比具有优化过程简便，仿真周期短，参数提取精确，从而降低失效的可能性，为制作工艺提供参考依据，而且使用方便、直观、高效，有效降低封装结构的设计成本。

衡量新能源汽车电池充电累积容量损耗可靠性的方法 884     

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本发明隶属可靠性分析领域，具体提供了一种衡量新能源汽车电池充电累积容量损耗可靠性的方法，通过已知特定型号新能源车辆电池达到老化阀值时的充电次数与充电时间，利用最小二乘法进行线性拟合分析，确定威布尔累积失效分布函数的形状参数，从而在一定程度上量化特定新型号新能源汽车电池的工作耐久度可靠性，从而能够基于产品在实验室内的有限数据，找到适合此产品的整体对应失效概率分布函数，继而掌握该新型新能源汽车电池的整体大致工作耐久可靠性情况。本发明的优点是适用于数据较少的有限情况下，对特定新能源汽车电池实验品种的预期整体工作寿命表现进行较准确的预估，能够使得是否投产推广使用该产品的决策成本大大降低。

背照式CMOS传感器中取晶粒的方法和应用 1038     

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本发明提供了一种背照式CMOS传感器中取晶粒的方法和应用，涉及CMOS传感器技术领域。该方法先将背照式CMOS传感器进行混酸处理，再将得到的预处理晶粒靠近电路层的一侧平整固定在硅片上，对预处理晶粒远离电路层的一侧进行任选的一次研磨以除去可能残留的封装料，然后进行反应离子刻蚀和二次研磨以使电路层完整的暴露出来并保持一定的平整度，得到晶粒；其中，将预处理晶粒平整固定在硅片上，硅片的设置可为电路层提供支撑作用，使得在后续提取过程中不会出现电路层脱落或者分层等问题，从而实现晶粒的完整且完好的提取，为后续失效分析工作提供了基础。本发明还提供了背照式CMOS传感器的失效分析方法。

修补去层次样品的方法 939     

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本发明涉及半导体集成电路的失效分析领域，尤其涉及一种修补去层次样品的方法。本发明提出一种修补去层次样品的方法，在去层次工艺时出现错层的半导体结构上覆盖机械强度达到研磨工艺要求的介质层，并部分去除介质层至金属层，去除暴露金属层后再继续去层次工艺，如此循环重复，直至目标区域完整的处于同一目标层，以便于后续的失效分析工艺的进行。

针对中断持有者抢占问题的综合调度方法及装置 661     

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本发明发现并定义了虚拟对称多处理环境下中断重映射机制可能存在的一个问题：中断持有者抢占(IHP，Interruptability Holder Preemption)问题。该问题导致中断重映射机制失效，降低了虚拟机的I/O性能。为了解决IHP问题，本发明提供一种前摄性的、基于中断持有者信息的VCPU综合调度方法。该方法基于目前广泛使用的KVM(Kernel‑Based Virtual Machine)及其半虚拟化网络模型，通过对中断持有者运行状态的全局把握与分析，并兼顾系统的全局调度公平性，构建一种VCPU综合调度方法，有效消除IHP问题，显著提升虚拟机的I/O性能。

基于重力场模型的管道状物体拉直的图像处理方法 653     

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一种图像处理技术领域的基于重力场模型的管道状物体拉直的图像处理方法,包括以下步骤:对管道状物体的内壁三维图像数据和外壁三维图像数据进行网格划分并生成外壁三维有限元模型;对外壁三维有限元模型施加边界条件和重力场载荷;进行非线性有限元拉直变形分析;使用基于特征点的非刚体配准的方法实现内壁三维图像数据的拉直;采用中心路径生成算法计算外壁三维图像数据的中心路径和拉直变形后的外壁三维图像数据的中心路径;进行旋转失真校正处理和长度失真校正处理。本发明能够进一步获得优化的管道状物体拉直后的图像,避免了现有技术中基于电场模型和中心路径拉直方法所造成的拉直算法失效问题。

样品去层次方法 961     

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本发明涉及一种样品去层次方法，用于半导体芯片的失效分析，包括以下步骤：步骤S1、所述半导体芯片具有一目标区域；步骤S2、研磨所述半导体芯片，并停止于位于所述层间介质层上表面的所述金属层；步骤S3、形成一保护膜层，所述保护膜层覆盖所述目标区域的正上方的所述金属层的上表面；步骤S4、继续研磨所述半导体芯片，去除位于所述保护膜层下方的所述金属层之外的所述金属层；步骤S5、去除所述保护膜层；步骤S6、去除所述金属层；步骤S7、去除所述半导体衬底上表面的其余物质，露出所述半导体衬底。其优点在于，设置一层保护膜层，避免出现化学试剂与金属层反应，保障半导体衬底不被损伤以及污染；有效提高失效分析的准确性，提高工作效率。

球管及其工作方法 710     

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本发明提出了一种球管，所述球管包括至少一记录装置，所述记录装置包括存储模块和接口模块；所述存储模块用于存储球管基本信息、球管校正信息、球管历史使用信息中的至少一种；所述接口模块与所述存储模块连接，所述接口模块包括数据接口单元和电源接口单元，所述数据接口单元用于实现所述记录装置与外部的数据传输。本发明的球管带有记录装置，可保存球管的相关信息，无需手动输入相关信息，并且在球管更换时仍可保留并直接读取这些信息，用于球管校正或球管失效分析和监控，简化了球管的管理和更换流程，为球管维护保养提供了方便，提高了用户体验。此外，本发明还提出了一种球管工作方法。

钢结构纤维模型损伤评价方法 1099     

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发明公开了一种钢结构纤维模型损伤评价方法，其特点是将钢结构纤维模型通用有限元的弹塑性分析，得到边缘纤维塑性应变云图，直观反映整体结构动力响应过程中的构件损伤和破坏情况，实现构件变形极限和材料变形极限对构件失效破坏的控制，并根据构件的受弯损伤，以及根据构件除塑性转角段部分的塑性变形和判断构件的拉、压损伤情况，对整体结构的安全进行判断和评价。本发明与现有技术相比具有分析过程简单，工作效率高，尤其对重要构件的损伤和破坏提供了有利的依据和参考，使构件在动力响应过程中的失效破坏既满足FEMA构件变形极限又满足材料应变极限。

半导体封装基座 749     

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本发明提供一种半导体封装基座,包括:底座,所述底座的材质为玻璃;位于所述底座正面的载片区,用于固定半导体芯片;至少一个位于所述底座正面的手指;位于所述底座正面的引线,每一个位于所述底座正面的手指对应连接一条所述引线的一端,所述引线的另一端具有引脚,所述引脚分布在所述载片区的周围;以及至少一个位于所述底座背面的手指,所述位于底座背面的手指的位置与所述位于底座正面的手指的位置一一对应,所述位置对应的位于所述底座背面和位于所述底座正面的手指间通过位于所述手指上的且贯通于所述底座的通孔相连接。该封装基座易于实现芯片与封装基座之间的引线连接,可有效提高通过微光显微镜对芯片进行失效分析的质量。

清洗黑色金属断口的试剂 761     

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本发明涉及化学清洗剂领域，尤其涉及一种黑色金属断口清洗剂。一种清洗黑色金属断口的试剂，按质量百分比计由以下组份构成，5～10%柠檬酸、5～10%柠檬酸铵、10～20%缓蚀剂，余量为水；所述缓蚀剂为含量为2～6%的卵磷脂悬浮溶液。本发明清洗黑色金属断口的试剂通过在具有腐蚀性的化学浸蚀剂中加入缓蚀剂，在去除氧化物和部分腐蚀产物的时候，同时缓蚀剂起到保护断口表面的金属基体不受破坏的作用，不破坏断口表面原有形貌，在对金属材料的失效分析时有利于断口形貌的观察，有助于失效分析工作的顺利进行；同时该试剂使用的原料对环境污染小，对人体无毒性，保障了研究人员的身体健康。

金属内衬结构复合材料螺旋桨的预变形设计方法 854     

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本发明涉及一种金属内衬结构复合材料螺旋桨的预变形设计方法，以金属桨叶几何模型作为设计输入，在ANSYS Workbench平台进行整个桨叶复合材料层合板与金属内衬的有限元建模，在ACP(Post)中，选择失效准则，对桨叶各铺层单元进行失效评价，判断是否满足强度要求；根据变形后的桨叶几何模型构建水动力计算模型，用流体动力分析模块求解得到桨叶性能与压力分布，并进行水动力性能计算结果进行收敛判别；桨叶的水动力与复合材料强度计算，由Fluent、ACP以及Static Structural等组件实现，基于ANSYS Workbench平台数据传递操作简单，交互便捷，完成复合材料螺旋桨性能的综合分析。

FIB样品座 797     

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本发明公开了一种FIB样品座，包括样品座本体和底座，其中样品座本体与底座为一体结构，所述样品座采用防磁导电金属制成，所述样品座本体为六面体结构，该六面体的底面与顶面平行，四个侧面中至少一个侧面垂直于底面且至少一个侧面与底面的夹角α为40°～55°。本发明的样品座可以同时放置平面TEM样品、截面TEM样品以及FIB标记样品，从而可以提高物性失效分析的效率，延长螺纹连接的使用寿命，保持FIB真空值以提高FIB电子束的分辨率；同时与底面形成夹角的侧面上可同时放置FIB标记样品，从而减少进行共聚焦点高度Eucentric Height的时间。

砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用 705     

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本发明提供了一种砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法和应用，涉及砷化镓芯片技术领域。该砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法，采用特定原料组成以及配比的液体混合物与砷化镓芯片封装结构进行反应，并通过控制反应的时间以及温度，从而实现对砷化镓芯片封装结构中塑封体以及基底的完全去除，同时也不会对晶粒产生损伤，实现晶粒的完整提取。本发明提供了上述砷化镓芯片封装结构中取晶粒的方法的应用，鉴于上述方法所具有的优势，使得所提取的晶粒不会受到腐蚀以及损伤，保证了晶粒的完整，为研究砷化镓芯片的失效分析提供了前提条件。本发明还提供一种砷化镓芯片的失效分析方法。

在多层通讯设备中保护高层业务的方法 844     

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本发明提出在多层通讯设备中保护高层业务的方法,包括:低层处理模块为高层处理模块提供低层传输通道;高层处理模块为从上游和下游节点通过本模块的业务建立透明的VP连接通路,使通过本模块处理后不影响其内容;高层处理模块检查到本模块故障后通知低层处理模块;低层处理模块检测到高层处理模块故障后建立旁通连接,将出现故障的高层处理模块隔离。采用本发明,不需要冗余的网络通道,对组网保护方式没有限制;本发明主要针对多业务提供平台和多业务传送节点中ATM层处理功能失效的情况下对ATM业务进行有效保护;本发明解决了在设备维护时对网络其它节点跨本节点业务影响的问题。

充电控制电路 810     

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本实用新型公布了一种充电控制电路，涉及电路技术领域。其中，包括：一光电耦合模块，用于根据检测模块输出的控制信号，生成反馈信号并反馈至充电器，以控制充电器实际充电的电压与电流；一检测模块，用于根据实际充电电压和实际充电电流输出相应的控制信号；一控制模块，用于在MCU基准信号或检测电路出现故障失效时，将充电电压限制到安全充电电压范围内，从而避免充电器充电电压过高导致蓄电池过热损坏甚至引发燃烧事故。本实用新型的技术方案的有益效果在于，可以在充电器恒压恒流控制电路失效的情况下，将充电电压限制到安全充电电压范围之内，从而避免充电器充电电压过高导致蓄电池过热损坏甚至引发燃烧事故。