
NbS2薄膜显示出高透明性,并且在大面积上的厚度和电导率均一,且NbS2薄膜具有很高的电势,可作为具有低接触电阻的2D过渡金属二卤化钴(TMDC)半导体的透明电极。

氧化锌掺氟化镁靶材是以高纯氧化锌(ZnO,纯度≥99.99%)与氟化镁(MgF₂,纯度≥99.95%)为原料,通过高能机械合金化与放电等离子烧结(SPS)技术制备的多功能复合靶材,化学组分可调(ZnO:MgF₂=90:10至70:30 wt%),晶相为纤锌矿ZnO与立方MgF₂两相共存(XRD验证),密度≥5.2 g/cm³(相对密度>97%)。其兼具宽禁带半导体特性(禁带宽度3.3-5.0 eV可调)、低折射率(1.38-1.70 @550 nm)及高抗激光损伤阈值(>10 J/cm² @1064 nm),适配磁控溅射、脉冲激光沉积(PLD)及电子束蒸发工艺,广泛应用于透明导电薄膜、紫外光学镀膜、压电器件及抗反射涂层领域。

LiMn2O4薄膜是的新一代锂离子电池材料。 LiMn2O4纳米薄膜电极组成的全固态薄膜锂电池的应用前景广泛,高能、轻量、超薄将是未来锂离子电池一个十分重要的发展方向。

Sm2O3是一种典型的稀土镧系金属氧化物,因为其特殊的外层电子结构,其性能非常优异。大多数稀土元素具有空轨道5d,因此稀土元素的化学活性很强,外层的空电子轨道可以转移电子从而提高材料的光催化性能。

氧化钇颗粒以高纯金属钆(Gd,≥99.99%)为原料,通过 真空氧化-等离子体球化 工艺制备的稀土功能材料,主相为立方晶系C型稀土氧化物(Ia-3空间群),粒径范围0.1-100 μm(可定制单分散亚微米球),纯度≥99.995%(4N5级),白度>98%(ISO 2470)。其具备 超高热中子俘获截面(49,000 barn)、巨磁热效应(磁熵变>4 J/kg·K @2T)及荧光敏化能力(激发波长275nm→612nm红移),专用于核反应堆中子吸收体、磁制冷工质、X射线增感屏及高折射率光学玻璃。

WTe2拥有大多数二维材料所具有的性质,还具有优良的非饱和巨磁阻的特性。WTe2既是一种二维拓扑绝缘体,又是超导体,可以通过外场的调控实现两种不同电子状态之间的切换。二碲化钨磁阻材料常应用于信息存储技术和磁传感器制造技术。

氧化钒是一种金属-绝缘体转变(Metal-Insulator transition,MIT)的相变材料,当温度到达68℃附近时,会发生由室温单斜绝缘相(M1)转变为高温金红石金属相(R)的一级相变。氧化钒的相变伴随着电学和光学等物理性质的突然变化,由于具有优良的相变特性,使其广泛应用在开关调制、光电器件、智能窗口、传感器、驱动器、红外辐射、红外热像仪等领域。氧化钒薄膜还是常见的半导体热敏薄膜。

半导体器件、光学器件及航空航天高温部件的表面功能化需求,是精密电子、光学工程与极端环境防护领域的核心镀膜材料。

二硼化钒(VB2)靶材基本信息:分子式:VB₂,纯度:99.5%,CAS号:12007-37-3;

二硼化锆(ZrB₂)薄膜属于导电难熔陶瓷薄膜(UHTC film),工业上不用于电阻或光学增透,主要用途集中在以下几个方向。

二硼化钛(TiB₂)薄膜是高硬度、低电阻、耐熔耐蚀的导电陶瓷膜,工业应用比 ZrB₂/TaB₂ 更广一些。

二硼化钨(通常指标称 WB₂ 靶材,实际沉积 W–B 复相膜,含 WB + W₂B₅)薄膜用途和 TiB₂/ZrB₂/TaB₂ 有区别——它钨含量高、密度大、耐 Plasma 侵蚀强,主打硬质保护 + 耐离子轰击电极/面对材料。