高真空脉冲激光沉积系统 PLD
高真空脉冲激光沉积系统(PLD)是冶金和材料科学领域中一种先进的薄膜沉积技术。它通过使用高能脉冲激光快速蒸发靶材,生成与靶材组成相同的薄膜,特别适用于制备复杂氧化物、陶瓷和
半导体材料等。PLD技术的独特之处在于能量源(脉冲激光)位于真空室外部,这使得在材料合成时,工作压力的动态范围非常宽,能够达到10^-8Pa至1Pa,从而为合成具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒提供了可能。
一、 设备主要功能及组成
1. 脉冲激光沉积(PLD)是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材,生成与靶材组成相同的薄膜。PLD的独特之处是能量源(脉冲激光)位于真空室的外面。这样,在材料合成时,工作压力的动态范围很宽,达到10-8Pa ~ 1Pa。通过控制镀膜压力和温度,可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外,PLD是一种“数字”技术,在纳米尺度上进行工艺控制(A°/pulse)
2. 设备主要由高真空获得与测量系统、样品台、激光靶系统、激光偏转扫描系统、辅助沉积系统及电气控制系统等六部分组成。
3. 高真空机组采用分子泵机组或离子泵机组。
4. 样品台可在线伸缩,旋转,衬底加热。
5. 激光靶四靶位,可公转换位,可自转,转速可调。
6. 辅助沉积系统可选配辉光清洗靶、负离子发生器、霍尔离子源、磁控溅射靶等。
7. 入射窗前端配置激光XY扫描系统,可将入射激光偏转,以均匀扫描靶面。
8. 可选配膜厚控制仪,进行在线测量和监控。
9. 电气控制系统具有多种报警功能,能及时提示故障情况,保障设备安全运行。
二、 主要技术参数
1. 真空室尺寸:Ø450(定制)(球形或圆筒形真空室)
2. 极限真空度:≤6.7×10-5Pa / ≤5.0×10-6Pa
3. 漏率:≤10-7 Pa•L/s
4. 样品台:可在线升降(靶基距可调)、旋转、衬底加热
5. 可选配辅助沉积系统:辉光清洗靶、负离子发生器、霍尔离子源、磁控溅射靶等
6. 可选配工艺系统:手套箱工作站、样品预处理室、自动样品库等
7. 供电电源:380V 50Hz(三相五线制)
8. 进水排管径:DN25
9. 工作水压:0.2Mpa