1.本发明涉及半导体加工制造技术领域，特别涉及一种调焦调平检测装置。背景技术：2.投影光刻机是一种把掩模图形通过投影物镜成像到硅片面的设备，为了掩模图形能够准确曝光，需由调焦调平系统精确控制硅片面位于指定曝光位置。通过检测曝光视场内硅片面的高度与倾斜信息来判断硅片面是否正确调焦调平，根据测量结果，调焦调平系统进一步调整工件台的位置，使工件台上的硅片面位于投影物镜的最佳焦平面处。3.为了获得整个曝光场的硅片面信息，通常在硅片面上标记多个测量点，根据每个测量点的高度和倾斜信息得到整个硅片面的高度和倾斜信息。4.图1为典型的基于图像处理技术的调焦调平系统(fls)三角测量原理示意图，来自投影支路的光线入射到硅片面后，经硅片面反射到达探测支路，最终被光电探测器所接收。当硅片面的上表面位置与投影物镜最佳焦平面位置的高度偏差，即离焦量为δz时，光斑在光电探测器上所成像的位置改变量δy与δz之间的关系为：5.其中β为成像放大倍率。6.因为从硅片面反射的光线是倾斜的，为了在探测器上接收到清晰像，探测面上的入射角与硅片面的反射角需满足scheimpflug条件。 scheimpflug条件如图2所示，表示与光轴成一定夹角(小于90°)的物面若要在像面清晰成像，则该像面也与光轴成一定夹角(小于90°)，物面与像面的倾斜角度、θ与光学系统放大倍率m相关，近轴条件下，满足以下公式：[0007][0008]目前，为了减小被测物膜层间的干涉效应，通常选用宽波段作为照明光源，光源经过透射式镜组准直后，入射到投影狭缝面。而由于光学材料的色散特性与波长相关，导致不同波长的轴外光线在投影狭缝面上的入射角度不同；另外，随着探测视场的增大，边缘视场的照明光线的准直特性也会不佳。上述两点引起投影狭缝面的不同波长不同视场光线出射角度不同，根据scheimpflug条件，与投影狭缝面共轭的硅片面的光线入射角也会跟着变化，即不同波长不同视场下，离焦量δz有不同的灵敏度系数。当 fls测量离焦量δz时，忽略了这种微小的差别，对不同波长不同视场选用了相同的硅片面入射角来计算，从而影响了fls的测量精度。[0009]因此需要一种新装置可以解决上述问题，让灵敏度系数与波长和视场不相关，提高fls测量精度。技术实现要素：[0010]本发明的目的在于提供一种调焦调平检测装置，可以解决现有技术中对不同波长不同视场选用了相同的硅
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“调焦调平检测装置的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：上海微电子装备（集团）股份有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
