1.本发明涉及陶瓷基板的制备领域，尤其涉及一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法。
背景技术：
2.陶瓷与金属材料及高分子材料并列为当代固体的三大材料，其在建筑、化工、电气、航天、汽车及生物医学领域均有重要的应用。氧化铝陶瓷作为最常见的陶瓷之一，由于其具有较高的机械强度、硬度、抗损毁性及较高的热导率，在电子技术领域中得到了广泛的应用，例如，被广泛应用作半导体集成电路陶瓷封装管壳、真空电容器的陶瓷管壳、大功率栅控金属陶瓷管等。
3.氧化铝陶瓷通常以配料或瓷体中的氧化铝的含量来分类，目前分为高纯型和普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系氧化铝含量在99.9％以上的陶瓷材料，普通型氧化铝陶瓷系氧化铝按含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时氧化铝含量在80％或者75％的也划为普通型氧化铝陶瓷系列。高纯氧化铝陶瓷主要是用于制作高温坩埚、耐火管及特殊耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等。
4.世界范围内制备高纯氧化铝陶瓷的原料主要依赖法国baikowski、日本住友化学工业和大明化学等公司。他们的粉体平均粒径小，粒度分布均匀，杂质含量极低，适于制备细晶粒或透明氧化铝陶瓷。在制备细晶高强高纯氧化铝陶瓷过程中，对原料粉体的要求非常严格，必须以无团聚的高纯度亚微米或纳米级α
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al2o3粉体为原料。实际上目前报导的细晶高强高纯氧化铝陶瓷几乎完全采用了日本大明化学株式会社生产的tm
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dar型低团聚高烧结活性α
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al2o3粉体为原料。同时为了实现低温烧结、控制晶粒长大，获得高性能氧化铝陶瓷，几乎都是采用热压、热等静压或放电等离子体烧结等特殊烧结工艺，如中国专利cn1304903a提出采用真空热压烧结工艺，在1500～1650℃下烧结得到的氧化铝陶瓷抗弯强度达到610～660mpa。a.krell则采用热等静压工艺制备出相对密度高于99.95％的亚微米晶氧化铝陶瓷，抗弯强度达到709
±
49mpa。赵喆(中国专利cn101306943a)和高濂(中国专利cn101624290a)等人都是采用放电等离子体烧结工艺制备出了高性能的氧化铝透明陶瓷。和无压烧结工艺相比，以上工艺需要特殊的烧结设备，投资大成本高，不适合大规模的工业化生产。
5.另外，现有氧化铝在进行加工生产时，需要利用球磨装置对氧化铝进行研磨作业，将氧化铝研磨成粉末，但是在球磨装置内的
声明：
“996氧化铝陶瓷基板的制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：福建华清电子材料科技有限公司
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2025年06月13日 ~ 15日 
