具有高温稳定性的Mg3Sb2基热电材料及其制备方法

一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料及其制备方法

技术领域

1.本发明涉及热电材料技术领域，特别涉及一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料及其制备方法。

背景技术：

2.热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料，以半导体热电材料制造的温差发电机只要有温差存在就能发电，具有清洁、无噪音污染和无有害物质排放、寿命长、坚固、可靠性高、稳定等一系列优点，是适用范围很广的绿色环保型能源。近几十年来，热电材料在小型化或者微型化的某些特殊领域，如太空卫星的电能驱动装置、车载冰箱的制冷系统和微型医疗器械等方面已发挥了不可或缺的作用。

3.mg3sb2基材料是一类zintle相热电材料，由于其化学键和离子键构成的复杂网络结构，具有电子晶体

?

声子玻璃的特殊性能，且原料均为无毒、廉价、储量丰富的元素。当温度低于1200k时，mg3sb2晶体结构为mn2o3型α相，每个晶胞中含有3个mg原子和2个sb原子。在mg3sb2中mg原子具有两种不同的位置，分别是具有离子性的mg(i)和共价性的mg(ii)，mg(ii)与sb原子形成[mg2sb2]2?

层，mg(i)构成mg

2+

阳离子层。因此，mg3sb2的键特性介于离子键和共价键之间，这种复杂的共价键和离子键网络结构符合声子玻璃

?

电子晶体特征，可以获得较高的载流子迁移率和较强的声子散射。

[0004]

2016年日本松下电器h.tamaki博士在advanced materials中报道了通过在mg3sb2体系中引入te制备出一系列mg

3+δ

sb2?

x

bi

x

?

y

te

y

(0≤δ≤0.5，0≤x≤2，0≤y≤0.05)成分的热电材料，由于掺杂te使得mg3sb2变为n型，最重要的是热电优值在300k超过0.5，并且这个成分的材料价格比较低廉，比性能相似的bi2te3价格低50％。因此，mg3sb2基热电材料引起了热电领域的关注。但是由于该类热电材料含有的mg元素在高温下容易挥发导致其偏离化学成分计量比，引入mg空位，导致高温下热电性能受损，该类热电材料通常只能在低于500℃的温度环境下应用。

技术实现要素：

[0005]

有鉴于此，本发明目的在于提供一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料及其制备方法。本发明提供的mg3sb2基热电材料具有高温稳定性，即使在500℃高温下热电性能仍然非常稳定。

[0006]

为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

[0007]

本发明提供了一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，包括mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料和沉积在所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面的氮化硼涂层；所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料中，0＜x≤0.06。

[0008]

优选地，x为0.01、0.02、0.03、0.04、0.05或0.06。

[0009]

本发明提供了以上技术方案所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料的制备方法，包括以下步骤：

[0010]

(1)在保护气氛下，将摩尔比为3～3.2:1.5:0.5

?

x:x的金属mg、sb、bi和te混合进行高能球磨，得到混合粉末；

[0011]

(2)将所述混合粉末在750～800℃条件下热压成型，得到mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料；

[0012]

(3)在真空条件下，将所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料加热至300～400℃，通入bcl3、nh3、h2和n2的混合气体，在mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面进行化学气相沉积形成氮化硼涂层，得到所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料。

[0013]

优选地，所述步骤(1)中金属mg、sb、bi和te的纯度大于等于99.99％。

[0014]

优选地，所述步骤(1)中高能球磨的时间为10～24h；所述混合粉末的粒径小于1微米。

[0015]

优选地，所述步骤(2)中热压成型的时间为2～5min。

[0016]

优选地，所述步骤(2)中热压成型后，还包括将所得mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

xte

x

热电块体材料采用高纯氮气进行清洗。

[0017]

优选地，所述步骤(3)中真空条件的真空度为1

×

10

?2～8

×

10

?2pa。

[0018]

优选地，所述步骤(3)混合气体中bcl3的体积流量为100～200sccm，所述nh3、h2、n2与bcl3的体积比为3:1:6:1；所述混合气体的气压为4～5kpa。

[0019]

优选地，所述步骤(3)中化学气相沉积的时间为2～3h。

[0020]

本发明提供了一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，包括mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料和沉积在所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

xte

x

热电块体材料表面的氮化硼涂层；所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

xte

x

热电块体材料中，0＜x≤0.06。本发明在mg3sb2基热电材料中引入氮化硼涂层，氮化硼涂层具有优异的抗氧化性，空气中900℃左右开始氧化，真空下氧化温度可达2000℃；良好的介电性能，是陶瓷中最好的高温绝缘材料，介电常数为4；抗热震性，热膨胀系数为10

?6；良好的化学稳定性和耐腐蚀性，对几乎所有的熔融金属呈现化学惰性；正是由于这些优异的特性，mg3sb2基热电材料在氮化硼涂层的保护下热电性能在高温下非常稳定，可以有效抑制高温下的mg损失，保证材料的热电性能不衰减，大大提高了mg3sb2基热电材料的工作温度，并因此保证了其在高温下热电转换效率。

[0021]

实施例结果表明，本发明提供的mg3sb2基热电材料具有高温稳定性，在500℃高温下热电性能几乎保持不变，热电性能非常稳定。

[0022]

本发明提供了以上技术方案所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料的制备方法，本发明采用球磨和高温烧结的方法制备mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料，然后采用化学气相沉积法在mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料上沉积氮化硼涂层，过程简单，易于操作，便于规模化生产。

附图说明

[0023]

图1为实施例1中沉积氮化硼涂层与未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块材在773k下的电导率变化曲线图；

[0024]

图2为实施例2中沉积氮化硼涂层与未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块材在773k下的塞贝克系数变化曲线图；

[0025]

图3为实施例3中沉积氮化硼涂层与未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电

块材在773k下的功率因子变化曲线图；

[0026]

图4为实施例3中沉积氮化硼涂层与未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块材在773k下相同时间处理后样品的形貌图，图4中，(a)为未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块材的形貌图，(b)为沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块材的形貌图。

具体实施方式

[0027]

本发明提供了一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，包括mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料和沉积在所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面的氮化硼涂层；所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料中，0＜x≤0.06。

[0028]

在本发明中，所述x优选为0.01、0.02、0.03、0.04、0.05或0.06。

[0029]

本发明在mg3sb2基热电材料中引入氮化硼涂层，mg3sb2基热电材料在氮化硼涂层的保护下热电性能在高温下非常稳定，可以有效抑制高温下的mg损失，大大提高了mg3sb2基热电材料的工作温度，并因此保证了其在高温下热电转换效率。本发明提供的mg3sb2基热电材料即使在500℃高温下热电性能仍然非常稳定。

[0030]

本发明提供了以上技术方案所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料的制备方法，包括以下步骤：

[0031]

(1)在保护气氛下，将摩尔比为3～3.2:1.5:0.5

?

x:x的金属mg、sb、bi和te混合进行高能球磨，得到混合粉末；

[0032]

(2)将所述混合粉末在750～800℃条件下热压成型，得到mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料；

[0033]

(3)在真空条件下，将所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料加热至300～400℃，通入bcl3、nh3、h2和n2的混合气体，在mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面进行化学气相沉积形成氮化硼涂层，得到所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料。

[0034]

本发明在保护气氛下，将摩尔比为3～3.2:1.5:0.5

?

x:x的金属mg、sb、bi和te混合进行高能球磨，得到混合粉末。本发明对所述保护气氛没有特别的要求，采用本领域技术人员熟知的保护气氛即可，具体地如氩气。在本发明中，所述金属mg、sb、bi和te的纯度优选大于等于99.99％。在本发明中，所述高能球磨优选在高能球磨机中进行，本发明对在保护气氛下进行高能球磨的操作方法没有特别的要求，采用本领域技术人员熟知的操作方法即可。在本发明中，所述高能球磨的时间优选为10～24h，更优选为15～20h；所述混合粉末的粒径优选小于1微米。本发明对所述高球球磨的球磨参数没有特别的要求，经过高能球磨能够得到均匀的满足粒径要求的混合粉末即可。

[0035]

得到混合粉末后，本发明将所述混合粉末在750～800℃条件下热压成型，得到mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料。本发明优选将所述混合粉末放入石墨模具中，再将装有混合粉末的石墨模具放入热压设备进行热压成型。在本发明中，所述热压成型的温度优选为780～800℃；所述热压成型的时间优选为2～5min，更优选为2～3min。在所述热压成型的过程中，混合粉末中的各金属熔融固化，并发生化学反应，形成合金材料。热压成型后，本发明还优选将所得mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料采用高纯氮气进行清洗；所述清洗的时间优选为1～3min。

[0036]

得到mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料后，本发明在真空条件下，将所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料加热至300～400℃，通入bcl3、nh3、h2和n2的混合气体，在mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面进行化学气相沉积形成氮化硼涂层，得到所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料。在本发明中，所述真空条件的真空度优选为1

×

10

?2～8

×

10

?2pa；本发明优选通过机械泵和分子泵抽真空至真空度为1

×

10

?2～8

×

10

?2pa。在本发明中，所述加热的温度优选为350～400℃；所述加热优选在管式炉中进行。在本发明中，所述混合气体中bcl3的体积流量优选为100～200sccm，更优选为150～200sccm；所述nh3、h2、n2与bcl3的体积比优选为3:1:6:1；所述混合气体的气压优选为4～5kpa，更优选为4.5kpa。在本发明中，所述混合气体中的bcl3和nh3反应生成氮化硼，h2和n2起到催化的作用。在本发明中，所述化学气相沉积的时间优选为2～3h，经过所述化学气相沉积，在mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面形成均匀致密的氮化硼涂层。

[0037]

本发明提供的制备方法过程简单，易于操作，便于规模化生产。

[0038]

下面结合实施例对本发明提供的具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料及其制备方法进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。

[0039]

实施例1

[0040]

一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，制备方法如下：

[0041]

(1)按照mg:sb:bi:te＝3.2:1.5:0.49:0.01的摩尔比例称取纯度为99.99％的金属mg、sb、bi和te，共计10g，放入高能球磨机，在氩气保护下混合搅拌10h，得到均匀的混合粉末(粒径小于1微米)；

[0042]

(2)将混合粉末放入石墨模具中，快速放入热压设备中，在800℃下热压2min，制成mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料；

[0043]

(3)采用高纯氮气将mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料清洗1min，然后放入管式炉中；打开机械泵和分子泵抽真空至1

×

10

?2pa；

[0044]

(4)将在上述步骤(3)形成的真空条件下，将mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料加热至300℃；通入100sccm的bcl3气体，通入的其他气体nh3、h2和n2与bcl3气体的体积比为nh3:h2:n2:bcl3＝3:1:6:1，调节反应气压为4.5kpa，在加热至300℃的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料表面进行气相沉积，沉积时间为2h，形成致密的氮化硼涂层，得到具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料。

[0045]

采用热电测量系统对得到的具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料(沉积有氮化硼涂层)样品在773k(500℃)下进行电导率的稳定性测试，并与未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料的电导率进行比较，测试结果如图1的电导率稳定性曲线所示(图1中，σ0为初始时未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料的电导率，σ为未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料或沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

热电块体材料在773k下随时间变化的电导率)。从图1中可以看出，沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

块体的电导率在773k下几乎没有变化(实际测试得到沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

块体的电导率在773k下维持在～1

×

104s/m)；而未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.49

te

0.01

块体的电导率在773k下随时间的延长出现明显的衰减。

[0046]

实施例2

[0047]

一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，制备方法如下：

[0048]

(1)按照mg:sb:bi:te＝3.2:1.5:0.47:0.03的摩尔比例称取纯度为99.99％的金属mg、sb、bi和te，共计10g，放入高能球磨机，在氩气保护下混合搅拌17h，得到均匀的混合粉末(粒径小于1微米)；

[0049]

(2)将混合粉末放入石墨模具中，快速放入热压设备中，在800℃下热压2min，制成mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料；

[0050]

(3)采用高纯氮气将mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料清洗2min，然后放入管式炉中；打开机械泵和分子泵抽真空至5

×

10

?2pa；

[0051]

(4)将在上述步骤(3)形成的真空条件下，将mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料加热至350℃；通入150sccm的bcl3气体，通入的其他气体nh3、h2和n2与bcl3气体的体积比为nh3:h2:n2:bcl3＝3:1:6:1，调节反应气压为4.5kpa，在加热至350℃的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料表面进行气相沉积，沉积时间为2.5h，形成致密的氮化硼涂层，得到具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料。

[0052]

采用热电测量系统对得到的具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料样品(沉积有氮化硼涂层)在773k下进行塞贝克的稳定性测试，并与未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

块体的塞贝克进行了比较，测试结果如图2的塞贝克稳定性曲线所示(图2中，s0为初始时未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料的塞贝克，s为未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料或沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料在773k下随时间变化的塞贝克)。从图2中可以看出，沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

块体的塞贝克在773k下几乎没有变化(实际测试得到沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

热电块体材料的塞贝克在773k下维持在～

?

270μv/k)；而未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.47

te

0.03

块体的塞贝克在773k下出现了明显的波动。

[0053]

实施例3

[0054]

一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，制备方法如下：

[0055]

(1)按照mg:sb:bi:te＝3.2:1.5:0.44:0.06的摩尔比例称取纯度为99.99％的金属mg、sb、bi和te，共计10g，放入高能球磨机，在氩气保护下混合搅拌24h，得到均匀的混合粉末(粒径小于1微米)；

[0056]

(2)将混合粉末放入石墨模具中，快速放入热压设备中，在800℃下热压2min，制成mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料；

[0057]

(3)采用高纯氮气将mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料清洗3min，然后放入管式炉中；打开机械泵和分子泵抽真空至8

×

10

?2pa；

[0058]

(4)将在上述步骤(3)形成的真空条件下，将mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料加热至400℃；通入200sccm的bcl3气体，通入的其他气体nh3、h2和n2与bcl3气体的体积你为nh3:h2:n2:bcl3＝3:1:6:1，调节反应气压为4.5kpa，在加热至400℃的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料表面进行气相沉积，沉积时间为3h，形成致密的氮化硼涂层，得到具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料。

[0059]

采用热电测量系统对得到的具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料样品(沉积有氮化硼涂层)在773k下进行功率因子的稳定性测试，并与未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

块体的功率因子进行比较，测试结果如图3的功率因子稳定性曲线所示

(图3中，pf0为初始时未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料的功率因子，pf为未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料或沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料在773k下随时间变化的功率因子)。从图3中可以看出，沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

块体的功率因子在773k下几乎没有变化(实际测试得到沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

热电块体材料的功率因子在773k下维持在～14μw/cmk2)；而沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

块体的功率因子在773k下随时间的延长出现了明显的衰减。

[0060]

得到的具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料样品(沉积有氮化硼涂层)和未沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

块体在773k下相同时间处理后的表面形貌如图4中(b)和(a)所示。从图4中可以看出，沉积氮化硼涂层的mg

3.2

sb

1.5

bi

0.44

te

0.06

块体样品中并没有出现明显的孔洞，即没有mg损失。

[0061]

由以上实施例可以看出，本发明提供的mg3sb2基热电材料具有高温稳定性，即使在773k(500℃)高温下热电性能仍然非常稳定。

[0062]

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。技术特征：

1.一种具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，其特征在于，包括mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料和沉积在所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面的氮化硼涂层；所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料中，0＜x≤0.06。2.根据权利要求1所述的具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料，其特征在于，x为0.01、0.02、0.03、0.04、0.05或0.06。3.权利要求1或2所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在保护气氛下，将摩尔比为3～3.2:1.5:0.5

?

x:x的金属mg、sb、bi和te混合进行高能球磨，得到混合粉末；(2)将所述混合粉末在750～800℃条件下热压成型，得到mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料；(3)在真空条件下，将所述mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料加热至300～400℃，通入bcl3、nh3、h2和n2的混合气体，在mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料表面进行化学气相沉积形成氮化硼涂层，得到所述具有高温稳定性的mg3sb2基热电材料。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中金属mg、sb、bi和te的纯度大于等于99.99％。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中高能球磨的时间为10～24h；所述混合粉末的粒径小于1微米。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中热压成型的时间为2～5min。7.根据权利要求3或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中热压成型后，还包括将所得mg

3～3.2

sb

1.5

bi

0.5

?

x

te

x

热电块体材料采用高纯氮气进行清洗。8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中真空条件的真空度为1

×

10

?2～8

×

10

?2pa。9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)混合气体中bcl3的体积流量为100～200sccm，所述nh3、h2、n2与bcl3的体积比为3:1:6:1；所述混合气体的气压为4～5kpa。10.根据权利要求3、8或9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中化学气相沉积的时间为2～3h。

技术总结

本发明提供了一种具有高温稳定性的Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明提供的Mg3Sb2基热电材料包括Mg

技术研发人员：丁发柱 古宏伟 商红静 黄大兴 谢波玮 高召顺 李太广 邹琪

受保护的技术使用者：中国科学院电工研究所

技术研发日：2021.04.09

技术公布日：2021/7/15