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硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法

819   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:13
本发明涉及一种硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法,它是将实际测试结果进行温度修正,从而得到一个准确的金属电迁移寿命值。采取固定的加速电流,依靠电流产生的热来升高金属测试结构的温度;通过对多个金属测试结构温度的实际测量,取得一组金属测试结构的温度测试数据T1~Tn以及相应的失效时间t1~tn;采取数据归一化的方式,将一组实际测得的金属测试结构的温度值T1~Tn以一个共同的温度值T’作为换算公式的参数,进而得到相应金属测试结构的失效时间t1’~tn’。真正反映特定电流相对应的电迁移加速过程,从而快速准确地外推金属电迁移寿命。
声明:
“硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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