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基于三维建模的分析空洞对IGBT热可靠性影响的方法

820   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:58
一种基于三维建模的分析空洞对IGBT热可靠性影响的方法,用于IGBT失效分析与可靠性评估。根据封装内部各结构层的尺寸,建立简化的三维IGBT热仿真模型。对该模型各个层赋以相对应的材料热学特性,然后进行网格划分以及设定该模型的边界条件和初始条件。模型通过相应的实验进行合理性验证后,对比分析结果,得到芯片表面峰值温度随空洞体积变化的曲线。根据器件不同的应用条件和环境,可分别进行相应的模型仿真来得到空洞对芯片温度分布的影响。可以利用仿真结果辅助对器件进行可靠性评估等。
声明:
“基于三维建模的分析空洞对IGBT热可靠性影响的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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