本发明公开了一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法,该方法针对外延SOI外延层进行电阻率的测量,为了达到测量精准的效果,首先对外延SOI表面进行特定的预处理,使表面的缺陷及电学参数达到所需要求。再施加特定电压,根据C-V曲线算出电阻率。最终结果误差小于0.1%。本发明为非接触式测量,具有非破坏性、无损伤性、可重复利用等优点。在实际生产中,被测外延SOI仍然可以使用。大大的提高了产品良率,节约了成本。
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