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单晶硅位错密度的无损检测方法

1017   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:57:49
本发明公开了一种单晶硅位错密度的无损检测方法,设置仪器参数,对单晶硅片进行XRD测试;获得该单晶硅片的XRD衍射谱,经过拟合,由该衍射谱获得衍射峰的半高宽数据B;以相同的仪器测试参数对无位错标准硅样品进行XRD测试,获得标准硅样品的XRD衍射谱,经过拟合,获得仪器宽化δ;根据关系式计算单晶硅位错导致的物理宽化β;根据公式ρ=β2/(4.35b2)计算所测单晶硅的位错密度。该无损检测方法以XRD测试方法为基础、可对位错密度进行定量化测试表征的理论,实现单晶硅中位错密度的定量计算表征。操作简单,数据处理方便,结果可靠同时对待测样品无损。
声明:
“单晶硅位错密度的无损检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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