本发明公开了一种电场传感器探头的制作工艺,其技术方案要点是,具体包括以下步骤:S1、切片:切片时选择电场方向平行于铌酸锂晶体z轴方向的X切Z传铌酸锂晶体制备为衬底切片;S2、蒸发:在所述S1中的衬底切片上采用化学气相沉积技术制备缓冲层钛作为掩模;S3、光导波刻;S4、PECVD:进行钛扩散,将铌酸锂晶体放在湿氧的环境中进行钛扩散以抑制LiO2外扩发生,抑制LiNb3O8晶相生成,降低晶体光折变的敏感性;S5、光刻电极;S6、电镀;S7、磨切;本电场传感器探头的制作工艺具有生产流程短,生产出的电场传感器探头具有可测动态范围大、响应速度快、频率范围宽、对电场畸变小、测量精度高、与一次设备无电气连接、全绝缘等特点。
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