本发明公开了一种改善单抛机抛后硅片塌边的抛光工艺,其实验工艺包括以下步骤:S1、首先将抛光液、清洗剂、活性剂、氢氧化钾溶液按照组分的重量份比称取各相应比例的组分,并放置到相应的储存器皿内部进行备用,使用单抛机系列,并在抛光前检查设备状态,保证无异常后进行工艺调节,可根据不同的来料类型,设定不同的加工工艺,运用两到不同抛头进行加工,S2、然后通过将第一个抛头设定为粗抛,粗抛垫型号、抛光液型号根据产品的加工要求可自行选择,粗抛垫随着加工寿命的减少,在抛头压力的作用下,中心部位的磨损程度会大于边缘部位,在粗抛工艺中加入一定配比的氢氧化钾溶液,可以加快化学反应速率。
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