本发明公开了一种聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用,该聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极以泡沫铜为基底,在基底上负载聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列,Co3O4纳米线的长度为1~1.8μm,直径为100~130nm,聚吡咯包覆层的厚度为10~15nm,Co3O4纳米线具有多晶结构。本发明降低了实验成本,操作方法简便,得到的改性电极有优异的
电化学性能,并且利用三维阵列结构的优势改善了Co3O4的导电性能,增加了电极材料的比表面积和活性位点,提高了Co3O4对于Pb2+的检测能力;引入含氮的聚吡咯进一步改善电极材料的导电性,含氮基团能够有效和Pb2+络合,有利于检测时Pb2+富集,进一步提升了传感器对Pb2+检测灵敏度的提高和检测限的降低,在铅离子监测等方面有广阔的应用前景。
声明:
“聚吡咯包覆四氧化三钴纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)