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化学机械抛光以及利用其制造半导体器件的方法

923   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:08:33
提供一种CMP方法。根据该CMP方法,在两个或更多层中形成的层间绝缘层被刻蚀以形成沟槽,并且测量该层间绝缘层的两个或更多层的厚度。在沟槽中顺序形成阻挡金属层和金属层。去除金属层的一部分,并且去除部分阻挡金属层和层间绝缘层。之后,再次测量该层间绝缘层的两个或更多层的厚度。
声明:
“化学机械抛光以及利用其制造半导体器件的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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