本发明涉及属于硅片清洗技术领域,具体涉及一种
太阳能硅片清洗后表面残留物的检测方法。所述检测方法包括以下步骤:将水溶性荧光粉添加至硅片清洗液中,硅片经超声波清洗和漂洗后,对待检硅片或水样滤纸进行紫外光谱分析,比对判断后记录分析结果。本发明在硅片浸泡式湿式化学清洗法中,创造性地引入荧光检测,能够以肉眼简便快捷而又直观的看到硅片清洗残留情况,来检测硅片的清洗效果,避免因硅片表面洁净度不良而影响后续制绒效果及影响光电转换效率等问题。该方法对硅片没有二次污染,而且又能够快速准确检测他物残留。
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