本发明涉及一种基于Z型Fe2O3@g‑C3N4异质结构建的竞争型光
电化学适配体传感器灵敏检测铅离子的制备方法。本发明以Fe2O3@g‑C3N4作为基底材料增强了光电流响应,Fe2O3与g‑C3N4可以形成了Z型能级交错的异质结结构,这种异质结结构的形成,能够有效提高光生电子的传递速度,减少电子和空穴的复合率,极大的提高了可见光利用率。以ZnO作为标记物标记DNA‑2降低了电子的传递效率,当溶液中的铅离子被ZnO@DNA‑2识别后形成了Pb2+‑G4链体,这种Pb2+‑G4链体会从电极表面脱落,释放到溶液中使得电极表面空间位阻变小,传感平台的电子传输增强,光电流信号实现放大,提高检测灵敏度,实现了对铅离子的灵敏检测。其检测限为3.1 pg/mL。
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“竞争型的铅离子光电化学适配体传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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