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竞争型的铅离子光电化学适配体传感器的制备方法

691   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:59:01
本发明涉及一种基于Z型Fe2O3@g‑C3N4异质结构建的竞争型光电化学适配体传感器灵敏检测铅离子的制备方法。本发明以Fe2O3@g‑C3N4作为基底材料增强了光电流响应,Fe2O3与g‑C3N4可以形成了Z型能级交错的异质结结构,这种异质结结构的形成,能够有效提高光生电子的传递速度,减少电子和空穴的复合率,极大的提高了可见光利用率。以ZnO作为标记物标记DNA‑2降低了电子的传递效率,当溶液中的铅离子被ZnO@DNA‑2识别后形成了Pb2+‑G4链体,这种Pb2+‑G4链体会从电极表面脱落,释放到溶液中使得电极表面空间位阻变小,传感平台的电子传输增强,光电流信号实现放大,提高检测灵敏度,实现了对铅离子的灵敏检测。其检测限为3.1 pg/mL。
声明:
“竞争型的铅离子光电化学适配体传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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