权利要求书： 1.一种晶圆测厚仪，其特征在于，包括：基座；所述基座顶部设有放置平台和支撑架；所述支撑架上安装有触摸显示器和上电容传感器；所述基座内安装有下电容传感器和抽真空装置；且所述下电容传感器位于上电容传感器的正下方；所述放置平台表面设有1个测试孔和至少3个真空吸附孔；所述测试孔位于下电容传感器的正上方及上电容传感器的正下方；所述真空吸附孔环绕测试孔均匀分布，且各真空吸附孔通过环形气道相互导通；所述真空吸附孔与真空接入嘴连接；所述真空接入嘴通过管路与抽真空装置导通；所述真空吸附孔与真空接入嘴的衔接处还设有密封盖。2.如权利要求1所述晶圆测厚仪，其特征在于：所述放置平台表面设有一层防静电特氟龙涂层。3.如权利要求1所述晶圆测厚仪，其特征在于：所述上电容传感器外侧安装有防护外壳。4.如权利要求1所述晶圆测厚仪，其特征在于：所述支撑架包括对称设置的左支撑骨架和右支撑骨架；且所述左支撑骨架和右支撑骨架之间设有加强筋。5.如权利要求1所述晶圆测厚仪，其特征在于：所述抽真空装置包括依序连接的压缩空气接入口，气源三联件，电磁阀和真空发生器。6.如权利要求1所述晶圆测厚仪，其特征在于：所述基座底部设有可升降地脚。 说明书： 晶圆测厚仪技术领域[0001] 本申请涉及电子测量设备技术领域，具体而言，涉及一种晶圆测厚仪。背景技术[0002] 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，可用于加工制成各种电路元件。而成为有特定电性功能的集成电路产品。在晶圆加工过程中，只有经过研磨抛光后的晶圆才能进入刻蚀，化学沉积，电镀等工艺。因此实践中需要对晶圆厚度进行精确的测量和控制。现有技术中，当采用非接触式测量方法对晶圆厚度进行测量时，由于晶圆边沿可能存在细微的翘曲，因此测量结果会存在亚微米级的测量误差。因此，本申请提供了一种新型的晶圆带阻力感应的搬运机械手，以克服现有技术中存在的上述问题。实用新型内容[0003] 本申请提供了一种晶圆测厚仪，能够克服晶圆边沿翘曲带来的检测误差，实现对晶圆厚度在亚微米级别的精确测量。[0004] 其采用的技术方案如下：[0005] 一种晶圆测厚仪，其包括：基座；所述基座顶部设有放置平台和支撑架；所述支撑架上安装有触摸显示器和上电容传感器；所述基座内安装有下电容传感器
声明：
“晶圆测厚仪” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：上海技垚科技有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
