权利要求书： 1.一种MOCD制程氢氮混合尾气的分离提纯再利用方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)预处理：将原料气经预处理后得到压力为常压或低压，温度为20～120℃的氢氮混合气体；
(2)精制除杂：经预处理的原料气，再经脱氨、脱一氧化碳、脱氧和脱水后，完成精制除杂，得到氨气、一氧化碳、氧气含量小于0.1ppm且所含水分露点小于或等于-75℃的氢氮混合气，最后经加压至1.0～4.0MPa后进入下一工序；
(3)低温变压吸附：经精制除杂并加压后的原料气，进入由冷却器、冷液分离器、低温吸附系统组成的低温变压吸附工序，并在-90～-20℃的操作温度、1.0～4.0MPa的操作压力下进行低温变压吸附；其中，低温变压吸附系统至少由四个吸附塔组成，且一个吸附塔吸附，其余吸附塔再生，交替使用；吸附塔塔顶流出的氢气经换热至常温后形成H2产品气输出，吸附塔塔底流出的富含N2的解吸气进入下一工序；
(4)低温精馏：来自低温变压吸附工序的富含N2的解吸气，进入包括节流阀、冷凝器、内置式压缩机、低温液体泵与精馏塔组成的低温精馏工序，在操作压力为1.0～4.0MPa、操作温度为-190～-100℃下进行低温精馏；从工序中的精馏塔顶流出的富H2气，经过换热器至-
90～-20℃，在1.0～4.0MPa压力下，返回到低温变压吸附工序，进一步回收H2与N2；从精馏塔底输出的液氮，进入液氮产品罐，再依据所需N2的压力与温度经过汽化后形成直接使用的N2产品气。
2.根据权利要求1所述的一种MOCD制程氢氮混合尾气的分离提纯再利用方法，其特征在于：所述原料气为常压或低压的MOCD制备基于氮化镓外延片生长的发光二极管制程中的废气；或为，除MOCD制程外的其余半导体制程中所产生的以氢气、氮气、氨气为主要成分并含有其他杂质组分的废气或尾气。
3.根据权利要求1所述的一种MOCD制程氢氮混合尾气的分离提纯再利用方法，其特征在于：步骤1中，所述预处理包括除尘、除油、脱氨、干燥和精过滤；经预处理后得到的氢氮混合气体中，含有氮气和氢气，以及微量氨气和痕量其他杂质组分，且其中氮气浓度大于或等于50vt％。
4.根据权利要求1所述的一种MOCD制程氢氮混合尾气的分离提纯再利用方法，其特征在于：步骤3中，所述吸附塔中所填充的吸附剂为由活性氧化铝、硅胶
声明：
“MOCVD制程氢氮混合尾气的分离提纯再利用方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：四川天采科技有限责任公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
